DGD0227S8-13

Diodes Incorporated
621-DGD0227S8-13
DGD0227S8-13

제조업체:

설명:
게이트 드라이버 HV Gate Driver

ECAD 모델:
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재고 상태: 2,079

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가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™
₩2,890.8 ₩2,891
₩1,839.6 ₩18,396
₩1,635.2 ₩40,880
₩1,356.3 ₩135,630
₩1,182.6 ₩295,650
₩1,119.8 ₩559,900
₩940.2 ₩940,200
전체 릴(2500의 배수로 주문)
₩858.5 ₩2,146,250
₩835.1 ₩6,263,250
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제품 속성 속성 값 속성 선택
Diodes Incorporated
제품 카테고리: 게이트 드라이버
RoHS:  
IGBT, MOSFET Gate Drivers
Low-Side
SMD/SMT
SOIC-8
2 Driver
2 Output
4 A
4.5 V
18 V
20 ns
20 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: Diodes Incorporated
로직 타입: CMOS, TTL
최대 턴-오프 지연 시간: 50 ns
최대 턴-온 지연 시간: 100 ns
습도에 민감: Yes
작동 공급 전류: 40 uA
출력 전압: 18 V
Pd - 전력 발산: 625 mW
제품 유형: Gate Drivers
팩토리 팩 수량: 2500
하위 범주: PMIC - Power Management ICs
기술: Si
단위 중량: 750 mg
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속성 선택됨: 0

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

DGD0227 로우 측 게이트 드라이버

Diodes Incorporated DGD0227 로우 측 게이트 드라이버는 듀얼, 고속, 로우 측 MOSFET 및 IGBT 드라이버입니다. 이런 장치는 4A의 피크 전류를 구동할 수 있으며 4.5~18V의 작동 공급 전압 범위를 제공합니다. Diodes Incorporated 게이트 드라이버 로직 입력은 표준 TTL 및 CMOS 레벨(최저 3.3V)과 호환되며 MCU와 쉽게 인터페이스할 수 있습니다. 빠르고 효과적으로 일치된 전파 지연 덕분에 고속 작동이 가능하므로 더 작은 관련 구성 요소를 사용하여 작고 콤팩트한 전력 스위칭 설계 장치를 구현할 수 있습니다. 이 DGD0227 게이트 드라이버는 SO-8(TH 타입) 패키지로 제공되며 -40~125°C 온도 범위에서 작동합니다.

게이트 드라이버

Diodes Incorporated 게이트 드라이버는 전력 시스템 및 모터 드라이브의 다양한 애플리케이션을 포괄합니다. 이 게이트 드라이버는 마이크로컨트롤러와 IGBT 또는 MOSFET 전원 스위치 사이의 인터페이스 역할을 합니다. 이 게이트 드라이버는 슛스루를 제어하면서 최적의 드라이브 특성을 제공합니다.

DGD 하프브리지 게이트 드라이버

Diodes Incorporated DGD 하프 브리지 게이트 드라이버는 N채널 MOSFET와 IGBT를 하프 브리지 구성으로 구동할 수 있는 고전압 및 고속 게이트 드라이버입니다. 부스트스트랩 작동 시 고전압 프로세싱 기술을 통해 하이 측 스위치를 오프셋 전압으로 전환할 수 있습니다. DGD 로직 입력 장치는 표준 TTL 및 CMOS 레벨(3.3V 미만)과 호환되므로 제어 장치와 쉽게 인터페이스할 수 있습니다. Diodes Incorporated 게이트 드라이버는 DC-DC 컨버터, DC-AC 인버터, AC-DC 전원 공급 장치, 모터 제어 및 클래스 D 전력 증폭기에 이상적입니다.