REXFET-1 100V & 150V 전력 MOSFET

Renesas Electronics REXFET-1 100V 및 150V 전력 MOSFET은 고전류 애플리케이션에 이상적인 온스테이트 저항 RDSON 및 성능 지수(Figure of Merit)를 크게 줄여주는 분할 게이트 기술을 구현합니다. 이 장치는 뛰어난 열 성능과 최대 전력 성능을 위해 TOLL(TO-Leadless), TOLT(TO Leaded Gullwing) 및 TOLT(TO top-side cooled) 패키지로 제공됩니다. 또한 MOSFET은 우수한 땜납 접합 성능을 위해 습식 측면 패키징이 특징입니다. REXFET-1 MOSFET은 자동차 애플리케이션에 대한 PPAP 지원으로 AEC-Q100 인증을 받았습니다.

결과: 30
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 3.7mohm 5x6pkg
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 5,000

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 3.7 mOhms 4 V 80 nC Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,300
배수: 1,300
: 1,300

GaN SMD/SMT TOLT N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

GaN SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 6.7 mOhms 4 V 43 nC Enhancement Reel
Renesas Electronics MOSFET 100V, 20A, 21mOhms, uSO8-FL N-Channel Power MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 20 A 21 mOhms 20 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel