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SIR873DP-T1-GE3

Name: Vishay SIR873DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIR873DP-T1-GE3
Price: 3007 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

78-SIR873DP-T1-GE3

제조업체 번호:

SIR873DP-T1-GE3

제조업체:

Vishay Semiconductors

설명:

MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

데이터시트:

SIR873DP-T1-GE3 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 9,086

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공장 리드 타임:: 4 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

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최소: 1 배수: 1

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₩-

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₩-

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포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩3,007.6	₩3,008
	₩2,000.2	₩20,002
	₩1,411.8	₩141,180
	₩1,181.1	₩590,550
	₩1,116.9	₩1,116,900
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩984	₩2,952,000
	₩960.7	₩5,764,200

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PowerPAK-SO-8
트랜지스터 극성:	P-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	150 V
Id - 연속 드레인 전류:	37 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	39.5 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4 V
Qg - 게이트 전하:	25 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	104 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	TrenchFET, PowerPAK
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Vishay Semiconductors
구성:	Single
하강 시간:	9 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	7 ns
시리즈:	SIR
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
표준 턴-오프 지연 시간:	28 ns
표준 턴-온 지연 시간:	15 ns
단위 중량:	506.600 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SIR873DP-T1-GE3 데이터시트

REACH Certificate (PDF)

KRHTS:: 8541109000
CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

'SIR873DP 150V P 채널 MOSFET

Vishay/Siliconix SIR873DP 150V P 채널 MOSFET는TrenchFET^® 전력 MOSFET입니다. SIR873DP MOSFET은 온 저항이 낮으므로 전도로 인한 전력 손실이 최소화됩니다. SIR873DP MOSFET은 -55~150ºC의 온도 범위에서 작동합니다. 이 전력 MOSFET은 단일 구성 PowerPAK^® 패키지로 제공됩니다. 로드 스위치, DC/DC 전원 공급 장치의 액티브 클램프, 배터리 보호, 모터 드라이브 제어 등에 사용됩니다.
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