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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 100 FF e2
- CRHV1206AF100MFKFF
- Vishay / Techno
-
4,000:
₩966.5
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
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Mouser 부품 번호
71-CRHV1206100MK
신제품
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Vishay / Techno
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 100 FF e2
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비재고 리드 타임 22 주
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최소: 4,000
배수: 4,000
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 100 EF e3
- CRHV1206AF100MFKEF
- Vishay / Techno
-
4,000:
₩966.5
-
비재고 리드 타임 20 주
-
신제품
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Mouser 부품 번호
71-CRHV1206100MKE
신제품
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Vishay / Techno
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 100 EF e3
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비재고 리드 타임 20 주
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최소: 4,000
배수: 4,000
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 100 E2 e3
- CRHV1206AF100MFKE2
- Vishay / Techno
-
2,000:
₩1,197.2
-
비재고 리드 타임 20 주
-
신제품
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Mouser 부품 번호
71-CRHV1206100MKE2
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 100 E2 e3
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비재고 리드 타임 20 주
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최소: 2,000
배수: 2,000
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 100 EB e3
- CRHV1206AF100MFKEB
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,518.8
-
비재고 리드 타임 20 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV1206100MKEB
신제품
|
Vishay / Techno
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 100 EB e3
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비재고 리드 타임 20 주
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₩5,518.8
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₩5,095.4
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최소: 250
배수: 1
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 100 EM e3
- CRHV1206AF100MFKEM
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,518.8
-
비재고 리드 타임 20 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV1206100MKEM
신제품
|
Vishay / Techno
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 100 EM e3
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비재고 리드 타임 20 주
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₩5,518.8
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₩5,095.4
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최소: 250
배수: 250
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 100 EW e3
- CRHV1206AF100MFKEW
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,197.6
-
비재고 리드 타임 20 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV1206100MKEW
신제품
|
Vishay / Techno
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 100 EW e3
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비재고 리드 타임 20 주
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₩5,197.6
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₩5,051.6
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₩5,022.4
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최소: 250
배수: 1
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 10% 100 TB
- CRHV1206AF100MKKTB
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,445.8
-
비재고 리드 타임 20 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV1206100MKKTB
신제품
|
Vishay / Techno
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 10% 100 TB
|
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비재고 리드 타임 20 주
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₩5,445.8
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₩5,022.4
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최소: 250
배수: 1
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 10% 100 TT
- CRHV1206AF100MKKTT
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,445.8
-
비재고 리드 타임 20 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV1206100MKKTT
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 10% 100 TT
|
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비재고 리드 타임 20 주
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₩5,445.8
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₩5,022.4
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최소: 250
배수: 1
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 100 ST
- CRHV1206AF100MFKST
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,518.8
-
비재고 리드 타임 20 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV1206100MKST
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 100 ST
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비재고 리드 타임 20 주
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₩5,518.8
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₩5,095.4
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최소: 250
배수: 1
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 100 TB
- CRHV1206AF100MFKTB
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,518.8
-
비재고 리드 타임 20 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV1206100MKTB
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 100 TB
|
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비재고 리드 타임 20 주
|
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|
₩5,518.8
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₩5,095.4
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최소: 250
배수: 1
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 100 TW
- CRHV1206AF100MFKTW
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,256
-
비재고 리드 타임 20 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV1206100MKTW
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 100 TW
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비재고 리드 타임 20 주
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|
₩5,256
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₩5,022.4
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최소: 250
배수: 1
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 20% 100 FT e2
- CRHV1206AF100MMKFT
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,445.8
-
비재고 리드 타임 20 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV1206100MMKT
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 20% 100 FT e2
|
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비재고 리드 타임 20 주
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₩5,445.8
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₩5,022.4
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최소: 250
배수: 1
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 200 EB e3
- CRHV1206AF100MFNEB
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,518.8
-
비재고 리드 타임 20 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV1206100MNEB
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 200 EB e3
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비재고 리드 타임 20 주
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₩5,518.8
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₩5,095.4
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최소: 250
배수: 1
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 200 ET e3
- CRHV1206AF100MFNET
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,197.6
-
비재고 리드 타임 20 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV1206100MNET
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 200 ET e3
|
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비재고 리드 타임 20 주
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₩5,197.6
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₩5,051.6
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₩5,022.4
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최소: 250
배수: 1
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 200 EW e3
- CRHV1206AF100MFNEW
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,197.6
-
비재고 리드 타임 20 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV1206100MNEW
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 200 EW e3
|
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비재고 리드 타임 20 주
|
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₩5,197.6
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₩5,051.6
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₩5,022.4
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최소: 250
배수: 1
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 200 FT e2
- CRHV1206AF100MFNFT
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,518.8
-
비재고 리드 타임 20 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV1206100MNT
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 200 FT e2
|
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비재고 리드 타임 20 주
|
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₩5,518.8
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₩5,095.4
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최소: 250
배수: 1
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 200 TB
- CRHV1206AF100MFNTB
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,518.8
-
비재고 리드 타임 20 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV1206100MNTB
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 200 TB
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
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|
₩5,518.8
|
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₩5,095.4
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최소: 250
배수: 1
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 200 TT
- CRHV1206AF100MFNTT
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,197.6
-
비재고 리드 타임 20 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV1206100MNTT
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 200 TT
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
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|
₩5,197.6
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₩5,051.6
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₩5,022.4
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최소: 250
배수: 1
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 200 TW
- CRHV1206AF100MFNTW
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,256
-
비재고 리드 타임 20 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV1206100MNTW
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 200 TW
|
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비재고 리드 타임 20 주
|
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|
₩5,256
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₩5,022.4
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최소: 250
배수: 1
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 10M .5% 100 EF e3
- CRHV1206AF10M0DKEF
- Vishay / Techno
-
4,000:
₩6,336.4
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV120610M0DKE
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 10M .5% 100 EF e3
|
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비재고 리드 타임 22 주
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최소: 4,000
배수: 4,000
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 10M .5% 100 ET e3
- CRHV1206AF10M0DKET
- Vishay / Techno
-
250:
₩7,387.6
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV120610M0DKET
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 10M .5% 100 ET e3
|
|
비재고 리드 타임 22 주
|
|
|
₩7,387.6
|
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₩6,336.4
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최소: 250
배수: 1
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 10M 5% 100 FB e2
- CRHV1206AF10M0JKFB
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,445.8
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV120610M0JKB
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 10M 5% 100 FB e2
|
|
비재고 리드 타임 22 주
|
|
|
₩5,445.8
|
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₩5,022.4
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최소: 250
배수: 1
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 10M 5% 100 EB e3
- CRHV1206AF10M0JKEB
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,445.8
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV120610M0JKEB
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 10M 5% 100 EB e3
|
|
비재고 리드 타임 22 주
|
|
|
₩5,445.8
|
|
|
₩5,022.4
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최소: 250
배수: 1
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 10M 5% 100 EM e3
- CRHV1206AF10M0JKEM
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,139.2
-
비재고 리드 타임 20 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV120610M0JKEM
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 10M 5% 100 EM e3
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
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|
₩5,139.2
|
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₩4,978.6
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₩4,949.4
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최소: 250
배수: 250
|
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 10M 5% 100 TB
- CRHV1206AF10M0JKTB
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,445.8
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV120610M0JKTB
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 10M 5% 100 TB
|
|
비재고 리드 타임 22 주
|
|
|
₩5,445.8
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₩5,022.4
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최소: 250
배수: 1
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CRHV
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