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수량 RoHS ECAD 모델 포장
시리즈
저항
전력 정격
공차
온도 계수
최저 작동온도
최고 작동온도
전압 정격
케이스 코드 - in
케이스 코드 - mm
길이
너비
높이
적용
특징
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF62M5%100ETe3
데이터시트
비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1

CRHV 62 MOhms 300 mW 5 % 100 PPM / C - 55 C + 150 C 1.5 kV 1206 3216 3.175 mm (0.125 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.635 mm (0.025 in)
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF6.81M1%100ETe3
데이터시트
재고 없음
최소: 250
배수: 1

CRHV 6.81 MOhms 300 mW 1 % 100 PPM / C - 55 C + 150 C 1.5 kV 1206 3216 3.175 mm (0.125 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.635 mm (0.025 in)
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF82M5%200E5e3
데이터시트
재고 없음
최소: 1,000
배수: 500

CRHV 82 MOhms 300 mW 5 % 200 PPM / C - 55 C + 150 C 1.5 kV 1206 3216 3.175 mm (0.125 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.635 mm (0.025 in)
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF82M5%250ST
데이터시트
재고 없음
최소: 250
배수: 1
CRHV 82 MOhms 300 mW 5 % 250 PPM / C - 55 C + 150 C 1.5 kV 1206 3216 3.175 mm (0.125 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.635 mm (0.025 in)
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1210AA200M1%200NTe4
데이터시트
재고 없음
최소: 250
배수: 1

CRHV 200 MOhms 450 mW 1 % 200 PPM / C - 55 C + 150 C 1.75 kV 1210 3225 3.175 mm (0.125 in) 2.54 mm (0.1 in) 0.635 mm (0.025 in)
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV2010AF10M5%200ST
데이터시트
재고 없음
최소: 250
배수: 1
CRHV 10 MOhms 500 mW (1/2 W) 5 % 200 PPM / C - 55 C + 150 C 2 kV 2010 5025 5.08 mm (0.2 in) 2.54 mm (0.1 in) 0.635 mm (0.025 in)
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV2510AF1G1%100ST
데이터시트
재고 없음
최소: 250
배수: 1
CRHV 1 GOhms 600 mW 1 % 100 PPM / C - 55 C + 150 C 2.5 kV 2510 6425 6.35 mm (0.25 in) 2.54 mm (0.1 in) 0.635 mm (0.025 in)
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV2510AF20M1%100TR
데이터시트
재고 없음
최소: 250
배수: 1
CRHV 20 MOhms 600 mW 1 % 100 PPM / C - 55 C + 150 C 2.5 kV 2510 6425 6.35 mm (0.25 in) 2.54 mm (0.1 in) 0.635 mm (0.025 in)
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV2512AF200M1%100ETe3
데이터시트
재고 없음
최소: 250
배수: 1

CRHV 200 MOhms 1 W 1 % 100 PPM / C - 55 C + 150 C 3 kV 2512 6432 6.35 mm (0.25 in) 3.2 mm (0.126 in) 0.635 mm (0.025 in)
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV2512AF300M1%100ETe3
데이터시트
재고 없음
최소: 250
배수: 1

CRHV 300 MOhms 1 W 1 % 100 PPM / C - 55 C + 150 C 3 kV 2512 6432 6.35 mm (0.25 in) 3.2 mm (0.126 in) 0.635 mm (0.025 in)
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV2512CF100M1%100ST
데이터시트
재고 없음
최소: 250
배수: 1
CRHV 100 MOhms 1 W 1 % 100 PPM / C - 55 C + 150 C 3 kV 2512 6432 6.35 mm (0.25 in) 3.2 mm (0.126 in) 0.635 mm (0.025 in)
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M .5% 100 E5 e3
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 500
배수: 500

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M .5% 100 EB e3
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M .5% 100 TF
데이터시트
비재고 리드 타임 22 주
최소: 4,000
배수: 4,000

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 2% 100 ST
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 5% 100 FB e2
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 5% 100 EB e3
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 5% 100 ST
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 5% 100 TB
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 5% 100 TT
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 5% 200 ET e3
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 5% 200 ST
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 5% 200 TB
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 5% 200 TT
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 100M 1% 100 FF e2
데이터시트
비재고 리드 타임 22 주
최소: 1
배수: 1

CRHV