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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 3M 1% 100 ST
- CRHV1206AF3M00FKST
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,328
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV12063M00KST
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 3M 1% 100 ST
|
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비재고 리드 타임 22 주
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₩5,328
|
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₩5,091.2
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₩5,076.4
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최소: 250
배수: 1
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 3M 1% 100 TB
- CRHV1206AF3M00FKTB
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,594.4
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV12063M00KTB
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 3M 1% 100 TB
|
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비재고 리드 타임 22 주
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₩5,594.4
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₩5,165.2
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최소: 250
배수: 1
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 3M 1% 100 TT
- CRHV1206AF3M00FKTT
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,268.8
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV12063M00KTT
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 3M 1% 100 TT
|
|
비재고 리드 타임 22 주
|
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₩5,268.8
|
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₩5,120.8
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₩5,091.2
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최소: 250
배수: 1
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 3M 1% 100 TW
- CRHV1206AF3M00FKTW
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,594.4
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV12063M00KTW
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 3M 1% 100 TW
|
|
비재고 리드 타임 22 주
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₩5,594.4
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₩5,165.2
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최소: 250
배수: 1
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 3.24M 1% 100 FB e2
- CRHV1206AF3M24FKFB
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,594.4
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV12063M24KB
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 3.24M 1% 100 FB e2
|
|
비재고 리드 타임 22 주
|
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|
₩5,594.4
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₩5,165.2
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최소: 250
배수: 1
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 3.3M 5% 200 EB e3
- CRHV1206AF3M30JNEB
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,520.4
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV12063M30JNEB
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 3.3M 5% 200 EB e3
|
|
비재고 리드 타임 22 주
|
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|
₩5,520.4
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₩5,091.2
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최소: 250
배수: 1
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 3.3M 5% 200 ET e3
- CRHV1206AF3M30JNET
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,520.4
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV12063M30JNET
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 3.3M 5% 200 ET e3
|
|
비재고 리드 타임 22 주
|
|
|
₩5,520.4
|
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|
₩5,091.2
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최소: 250
배수: 1
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 3.3M 5% 200 TB
- CRHV1206AF3M30JNTB
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,520.4
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV12063M30JNTB
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 3.3M 5% 200 TB
|
|
비재고 리드 타임 22 주
|
|
|
₩5,520.4
|
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|
₩5,091.2
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최소: 250
배수: 1
|
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 3.3M 5% 200 TT
- CRHV1206AF3M30JNTT
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,520.4
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV12063M30JNTT
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 3.3M 5% 200 TT
|
|
비재고 리드 타임 22 주
|
|
|
₩5,520.4
|
|
|
₩5,091.2
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최소: 250
배수: 1
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 3.3M 1% 100 ET e3
- CRHV1206AF3M30FKET
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,268.8
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV12063M30KET
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 3.3M 1% 100 ET e3
|
|
비재고 리드 타임 22 주
|
|
|
₩5,268.8
|
|
|
₩5,120.8
|
|
|
₩5,091.2
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|
최소: 250
배수: 1
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CRHV
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 3.48M 2% 100 EF e3
- CRHV1206AF3M48GKEF
- Vishay / Techno
-
4,000:
₩1,081.9
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV12063M48GKE
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 3.48M 2% 100 EF e3
|
|
비재고 리드 타임 22 주
|
|
최소: 4,000
배수: 4,000
|
|
|
|
CRHV
|
3.48 MOhms
|
300 mW
|
2 %
|
100 PPM / C
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.5 kV
|
1206
|
3216
|
3.175 mm (0.125 in)
|
1.6 mm (0.063 in)
|
0.635 mm (0.025 in)
|
|
|
|
|
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 3.48M 1% 100 EB e3
- CRHV1206AF3M48FKEB
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,594.4
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV12063M48KEB
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 3.48M 1% 100 EB e3
|
|
비재고 리드 타임 22 주
|
|
|
₩5,594.4
|
|
|
₩5,165.2
|
|
최소: 250
배수: 1
|
|
|
|
CRHV
|
3.48 MOhms
|
300 mW
|
1 %
|
100 PPM / C
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.5 kV
|
1206
|
3216
|
3.175 mm (0.125 in)
|
1.6 mm (0.063 in)
|
0.635 mm (0.025 in)
|
|
|
|
|
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 3.92M 1% 100 TB
- CRHV1206AF3M92FKTB
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,594.4
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV12063M92KTB
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 3.92M 1% 100 TB
|
|
비재고 리드 타임 22 주
|
|
|
₩5,594.4
|
|
|
₩5,165.2
|
|
최소: 250
배수: 1
|
|
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|
CRHV
|
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|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 400M 5% 200 EF e3
- CRHV1206AF400MJNEF
- Vishay / Techno
-
4,000:
₩990.1
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV1206400MJNE
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 400M 5% 200 EF e3
|
|
비재고 리드 타임 22 주
|
|
최소: 4,000
배수: 4,000
|
|
|
|
CRHV
|
|
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|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 400M 5% 200 E1 e3
- CRHV1206AF400MJNE1
- Vishay / Techno
-
1,000:
₩1,938.8
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV1206400MJNE1
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 400M 5% 200 E1 e3
|
|
비재고 리드 타임 22 주
|
|
|
₩1,938.8
|
|
|
₩1,790.8
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
|
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CRHV
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|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 400M 5% 200 E2 e3
- CRHV1206AF400MJNE2
- Vishay / Techno
-
2,000:
₩1,166.2
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV1206400MJNE2
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 400M 5% 200 E2 e3
|
|
비재고 리드 타임 22 주
|
|
|
₩1,166.2
|
|
|
₩1,151.4
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
|
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CRHV
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|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 400M 5% 200 EB e3
- CRHV1206AF400MJNEB
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,668.4
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV1206400MJNEB
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 400M 5% 200 EB e3
|
|
비재고 리드 타임 22 주
|
|
|
₩5,668.4
|
|
|
₩5,224.4
|
|
최소: 250
배수: 1
|
|
|
|
CRHV
|
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|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 400M 5% 200 EM e3
- CRHV1206AF400MJNEM
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,342.8
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV1206400MJNEM
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 400M 5% 200 EM e3
|
|
비재고 리드 타임 22 주
|
|
|
₩5,342.8
|
|
|
₩5,194.8
|
|
|
₩5,150.4
|
|
최소: 250
배수: 250
|
|
|
|
CRHV
|
|
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|
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 400M 1% 100 FB e2
- CRHV1206AF400MFKFB
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,742.4
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV1206400MKB
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 400M 1% 100 FB e2
|
|
비재고 리드 타임 22 주
|
|
|
₩5,742.4
|
|
|
₩5,298.4
|
|
최소: 250
배수: 1
|
|
|
|
CRHV
|
|
|
|
|
|
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|
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|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 40M 5% 100 E5 e3
- CRHV1206AF40M0JKE5
- Vishay / Techno
-
500:
₩3,048.8
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV120640M0JKE5
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 40M 5% 100 E5 e3
|
|
비재고 리드 타임 22 주
|
|
|
₩3,048.8
|
|
|
₩2,812
|
|
최소: 500
배수: 500
|
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CRHV
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|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 40M 1% 100 TB
- CRHV1206AF40M0FKTB
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,594.4
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV120640M0KTB
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 40M 1% 100 TB
|
|
비재고 리드 타임 22 주
|
|
|
₩5,594.4
|
|
|
₩5,165.2
|
|
최소: 250
배수: 1
|
|
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CRHV
|
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|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 40M 1% 100 TT
- CRHV1206AF40M0FKTT
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,328
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV120640M0KTT
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 40M 1% 100 TT
|
|
비재고 리드 타임 22 주
|
|
|
₩5,328
|
|
|
₩5,091.2
|
|
|
₩5,076.4
|
|
최소: 250
배수: 1
|
|
|
|
CRHV
|
|
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|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 439M 5% 100 TT
- CRHV1206AF439MJKTT
- Vishay / Techno
-
250:
₩5,668.4
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV1206439MJKTT
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 439M 5% 100 TT
|
|
비재고 리드 타임 22 주
|
|
|
₩5,668.4
|
|
|
₩5,224.4
|
|
최소: 250
배수: 1
|
|
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|
CRHV
|
|
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 470M 5% 100 EF e3
- CRHV1206AF470MJKEF
- Vishay / Techno
-
4,000:
₩1,166.2
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV1206470MJKE
신제품
|
Vishay / Techno
|
후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 470M 5% 100 EF e3
|
|
비재고 리드 타임 22 주
|
|
최소: 4,000
배수: 4,000
|
|
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|
CRHV
|
|
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 470M 1% 100 F1 e2
- CRHV1206AF470MFKF1
- Vishay / Techno
-
1,000:
₩1,968.4
-
비재고 리드 타임 22 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
71-CRHV1206470MK1
신제품
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Vishay / Techno
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후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 470M 1% 100 F1 e2
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비재고 리드 타임 22 주
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₩1,968.4
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₩1,805.6
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최소: 1,000
배수: 1,000
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CRHV
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대한민국