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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 포장 시리즈 저항 전력 정격 공차 온도 계수 최저 작동온도 최고 작동온도 전압 정격 케이스 코드 - in 케이스 코드 - mm 길이 너비 높이 적용 특징
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 2M .5% 100 EB e3 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 2M 2% 100 EF e3 비재고 리드 타임 22 주
최소: 4,000
배수: 4,000

CRHV 2 MOhms 300 mW 2 % 100 PPM / C - 55 C + 150 C 1.5 kV 1206 3216 3.175 mm (0.125 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.635 mm (0.025 in)
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 2M 5% 100 FB e2 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 2M 5% 100 ET e3 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 2M 5% 100 ST 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 2M 5% 100 TT 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 2M 1% 100 F5 e2 비재고 리드 타임 20 주
최소: 500
배수: 500
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 2M 1% 100 EF e3 비재고 리드 타임 22 주
최소: 4,000
배수: 4,000
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 2M 1% 100 E1 e3 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 2M 1% 100 EB e3 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1

CRHV 2 MOhms 300 mW 1 % 100 PPM / C - 55 C + 150 C 1.5 kV 1206 3216 3.175 mm (0.125 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.635 mm (0.025 in)
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 2M 1% 100 EW e3 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 2M 10% 100 TB 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 2M 10% 100 TT 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 2M 1% 100 S1 비재고 리드 타임 22 주
최소: 1,000
배수: 1,000
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 2M 1% 100 S2 비재고 리드 타임 22 주
최소: 2,000
배수: 2,000
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 2M 1% 100 SR 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 2M 1% 100 ST 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 2M 1% 100 SW 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 2M 1% 100 TB 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 2M 1% 100 TR 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 2M 1% 100 TT 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 2M 1% 100 TW 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 2M 1% 200 EB e3 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 2M 1% 200 ET e3 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 2M 1% 200 EW e3 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV