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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 포장 시리즈 저항 전력 정격 공차 온도 계수 최저 작동온도 최고 작동온도 전압 정격 케이스 코드 - in 케이스 코드 - mm 길이 너비 높이 적용 특징
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 200M 5% 200 EW e3 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 200M 5% 200 TB 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 200M 5% 200 TT 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 200M 5% 200 TW 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 200M 5% 350 ET e3 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 200M 5% 350 TB 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 200M 5% 350 TT 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 200M 1% 100 F1 e2 비재고 리드 타임 22 주
최소: 1,000
배수: 1,000

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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 200M 1% 100 FB e2 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 200M 1% 100 E2 e3 비재고 리드 타임 22 주
최소: 2,000
배수: 2,000

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 200M 1% 100 EB e3 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 200M 1% 100 ET e3 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 200M 1% 100 EW e3 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 200M 1% 100 SB 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1

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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 200M 1% 100 SR 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 200M 1% 100 ST 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1

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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 200M 1% 100 FT e2 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 200M 1% 100 TB 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 200M 1% 100 TW 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 200M 1% 150 EB e3 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 200M 1% 150 ET e3 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 200M 1% 150 EW e3 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 200M 1% 150 SF 비재고 리드 타임 22 주
최소: 4,000
배수: 4,000
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 200M 1% 150 TB 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 200M 1% 150 TR 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1
CRHV