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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 포장 시리즈 저항 전력 정격 공차 온도 계수 최저 작동온도 최고 작동온도 전압 정격 케이스 코드 - in 케이스 코드 - mm 길이 너비 높이 적용 특징
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 1G 5% 100 TW 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 1G 5% 150 EB e3 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 1G 5% 150 ET e3 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 1G 5% 150 EW e3 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 1G 5% 150 FT e2 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 1G 5% 150 TB 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 1G 5% 150 TT 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 1G 5% 150 TW 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 1G 5% 200 ET e3 비재고 리드 타임 15 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 1G 1% 100 FF e2 비재고 리드 타임 15 주
최소: 4,000
배수: 4,000

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 1G 1% 100 E2 e3 비재고 리드 타임 15 주
최소: 2,000
배수: 2,000

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 1G 1% 100 EW e3 비재고 리드 타임 15 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 1G 10% 100 ET e3 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 1G 10% 150 EB e3 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 1G 10% 150 ET e3 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 1G 10% 200 ET e3 비재고 리드 타임 15 주
최소: 250
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CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 1G 10% 200 TB 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
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CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 1G 10% 200 TT 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
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CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 1G 1% 100 ST 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 1G 1% 100 TB 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
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CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD 1G OHM 1% 1.5KV 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 1G 1% 100 TW 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
배수: 1

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 1G 1% 150 FB e2 비재고 리드 타임 22 주
최소: 250
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 1G 1% 150 E5 e3 비재고 리드 타임 15 주
최소: 500
배수: 500

CRHV
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 1G 1% 150 EB e3 비재고 리드 타임 15 주
최소: 250
배수: 1

CRHV