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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 포장 시리즈 저항 전력 정격 공차 온도 계수 최저 작동온도 최고 작동온도 전압 정격 케이스 코드 - in 케이스 코드 - mm 길이 너비 높이 적용 특징
Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 10M 1% 150 ET e3 비재고 리드 타임 20 주
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 10M 1% 150 EW e3 비재고 리드 타임 22 주
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 10M 1% 150 FT e2 비재고 리드 타임 22 주
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 10M 1% 150 TB 비재고 리드 타임 22 주
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 10M 1% 150 TT 비재고 리드 타임 22 주
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 10M 1% 150 TW 비재고 리드 타임 22 주
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 10M 20% 500 FT e2 비재고 리드 타임 22 주
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 10M 1% 200 TB 비재고 리드 타임 22 주
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 10M 1% 200 TT 비재고 리드 타임 22 주
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 120M 5% 100 EB e3 비재고 리드 타임 22 주
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 120M 5% 100 ET e3 비재고 리드 타임 22 주
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 120M 5% 100 EW e3 비재고 리드 타임 22 주
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 120M 5% 100 FT e2 비재고 리드 타임 22 주
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 120M 5% 100 TB 비재고 리드 타임 22 주
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 120M 5% 100 TT 비재고 리드 타임 22 주
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 120M 5% 100 TW 비재고 리드 타임 22 주
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 12M 5% 200 FB e2 비재고 리드 타임 22 주
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 12M 5% 200 EB e3 비재고 리드 타임 22 주
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 12M 5% 200 EW e3 비재고 리드 타임 22 주
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 12M 5% 200 FT e2 비재고 리드 타임 22 주
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 12M 5% 200 TB 비재고 리드 타임 22 주
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 12M 5% 200 TT 비재고 리드 타임 22 주
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 12M 5% 200 TW 비재고 리드 타임 22 주
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 12M 5% 200 FW e2 비재고 리드 타임 22 주
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Vishay / Techno 후막 저항기 - SMD CRHV1206AF 150M 5% 100 TB 비재고 리드 타임 22 주
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