EasyPACK™ CoolSiC™ 트렌치 MOSFET 모듈

Infineon Technologies EasyPACK™ CoolSiC™ 트렌치 MOSFET 모듈은 PressFIT 접점 기술과 통합형 NTC(음의 온도 계수) 온도 센서를 특징으로 합니다. 이 모듈은 1200V 드레인-소스 전압에서 작동하며, 낮은 인덕턴스 설계, 낮은 스위칭 손실, 높은 전류 밀도를 제공합니다. EasyPACK™ 모듈은 통합형 마운팅 클램프를 통해 견고한 장착이 가능하며, CTI >600으로 패키징됩니다. 고주파 스위칭 소자, DC/DC 컨버터, 전기차용 DC 충전기 등의 응용 분야에 사용됩니다. Infineon은 Easy 2C 시리즈를 통해 SiC G2 기술과 고급 .XT 기능을 활용하여 고출력 설계를 향상시켰습니다. .XT 기술은 향상된 내구성과 확장된 작동 온도 범위를 제공하며, 2세대 SiC MOSFET 기술은 게이트 산화막 신뢰성 향상 및 온 저항 감소를 제공합니다.

결과: 6
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
포장
Infineon Technologies MOSFET 모듈 EASY
데이터시트
15재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 95 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies MOSFET 모듈 EASY
데이터시트
18재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 95 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies MOSFET 모듈 EASY
데이터시트
28재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 60 A 25.2 mOhms - 10 V, + 25 C 4.35 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies MOSFET 모듈 EASY
데이터시트
14재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 100 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies MOSFET 모듈 EASY
데이터시트
6재고 상태
15예상 2026-02-20
최소: 1
배수: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 95 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies MOSFET 모듈 EASY
데이터시트
30주문 중
최소: 1
배수: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 60 A 25.2 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray