650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A. 

결과: 28
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
구성
If - 순방향 전류
Vrrm - 반복 역 전압
Vf - 순방향 전압
If - 순방향 서지 전류
Ir - 역 전류
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
GeneSiC Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
데이터시트
재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SMD/SMT TO-252-2 Single 10 A 650 V 1.25 V 70 A 10 uA - 55 C + 175 C SiC Schottky MPS Reel
GeneSiC Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 650V 20A TO-247-3 SiC Schottky MPS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 600
배수: 600

SMD/SMT TO-247-2 Single 20 A 650 V 1.25 V 70 A 10 uA - 55 C + 175 C SiC Schottky MPS Tube
GeneSiC Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 650V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 600
배수: 600

SMD/SMT TO-247-2 Single 16 A 650 V 1.25 V 56 A 10 uA - 55 C + 175 C SiC Schottky MPS Tube