차폐식 게이트 PowerTrench® MOSFET

Onsemi 차폐식 게이트 PowerTrench® MOSFET은 N-채널이며 최적화된 스위칭 성능을 제공합니다. 이 MOSFET은 낮은 역회복 전하(Qrr)와 우수한 저잡음 스위칭을 위한 소프트 바디 다이오드를 특징으로 합니다. Onsemi 차폐식 게이트 PowerTrench MOSFET은 낮은 스위칭 스파이크 및 EMI(전자기 간섭)로 높은 효율을 제공합니다. 이는  FOM(스위칭 성능 지수)을 개선합니다. 일반적으로 ATX/서버/통신장비 PSU (전원 공급 장치), 모터 드라이브, UPS (무정전 전원 공급 장치) 및 마이크로 태양광 인버터용 동기식 정류에 사용됩니다.

결과: 3
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
onsemi MOSFET MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 10.9 mohm, 74.3 A
데이터시트
747재고 상태
800예상 2026-04-17
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 74.3 A 10.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement PowerTrench Tube
onsemi MOSFET MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 5.0 mohm, 139 A
데이터시트
447재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 139 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement PowerTrench Tube
onsemi NTP7D3N15MC
onsemi MOSFET MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 7.3 mohm, 101 A
데이터시트
583재고 상태
800예상 2026-05-15
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 101 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement PowerTrench Tube