NVMFS5832NLWFT1G-UM

Name: onsemi NVMFS5832NLWFT1G-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-FS5832NLWFT1G-UM
Price: 2861 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

863-FS5832NLWFT1G-UM

제조업체 번호:

NVMFS5832NLWFT1G-UM

제조업체:

onsemi

설명:

MOSFET Power MOSFET 40V, 120A, 4.2 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.

라이프사이클:

신제품:

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ECAD 모델:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	DFN-5
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	40 V
Id - 연속 드레인 전류:	120 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	4.2 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.4 V
Qg - 게이트 전하:	51 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	127 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	onsemi
구성:	Single
하강 시간:	8 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	21 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	24 ns
시리즈:	NVMFS5832NL
팩토리 팩 수량:	1500
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	27 ns
표준 턴-온 지연 시간:	13 ns

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TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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