Dynamic Random Access Memory (DRAM)

Intelligent Memory Dynamic Random Access Memory (DRAM) includes a full range of JEDEC-compliant DRAMs and ECC DRAMs (SDRAM, DDR, DDR2, DDR3, DDR4, LPDDR4). From an application's point of view, these components work like a monolithic device. The DRAM devices allow for maximum levels of memory density without altering existing board layouts or designs.

모든 결과 (55)

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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 128Mx16, 400MHz (800Mbps), 0C to +95C, FBGA-84
데이터시트
33재고 상태
209예상 2026-09-29
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM DDR4 8Gb, 1.2V, 512Mx16, 1600MHz (3200Mbps), 0C to +95C, FBGA-96
데이터시트
5재고 상태
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM ECC DDR2, 1Gb, 1.8V, 64Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84
데이터시트
86재고 상태
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 16Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-86
데이터시트
139재고 상태
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM SDRAM, 128Mb, 3.3V, 8Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
데이터시트
348예상 2026-05-26
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM SDRAM, 128Mb, 3.3V, 8Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
데이터시트
108예상 2026-05-26
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM DDR2 512Mb, 1.8V, 32Mx16, 400MHz (800Mbps), 0C to +95C, FBGA-84
데이터시트
418예상 2026-05-26
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54
데이터시트
216예상 2026-05-21
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM DDR2 1Gb, 1.8V, 64Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166MHz (166Mbps), 0C to +70C, FBGA-54
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166Mhz (1666Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 2Gb, 1.35V/1.5V, 128Mx16, 800MHz (1600Mbps), 0C to +95C, FBGA-96
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-78
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
데이터시트
리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 256Mx16, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-96
데이터시트
리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 4Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 1Gx8 (1CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
데이터시트
리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx16 (2CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-96
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM ECC DDR3, 1Gb, 1.5V, 64Mx16, 667MHz (1333Mbps), -40C to +95C, FBGA-96
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54
데이터시트
리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory 메모리 모듈 메모리 모듈, DDR3, DIMM, 16GB, x64, 240pin UDIMM, 1600MT/s, PC3-12800, 1.35V, Non-ECC, Double Rank, 30mm, C-Temp
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory 메모리 모듈 메모리 모듈, DDR3, SODIMM, 16GB, x64, 204pin SODIMM, 1600MT/s, PC3-12800, 1.35V, Non-ECC, Double Rank, 30mm, C-Temp
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory 메모리 모듈 메모리 모듈, DDR3, SODIMM, 16GB, x72, 204pin SODIMM, 1600MT/s, PC3-12800, 1.35V, ECC, Double Rank, 30mm, C-Temp
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1