100 V~150 V StrongIRFET™ 전력 MOSFET

Infineon Technologies의 100~150V StrongIRFET™ 전력 MOSFET는 낮은 온 상태 저항(RDS(on)) 및 고전류에 맞게 최적화되어 있습니다. 이 장치는 100V에서 1.3mΩ의 낮은 RDS(on) 와 100V에서 최대 209A의 높은 전류 처리 성능을 제공합니다. 이러한 이 장치의 특징은 전도 손실을 감소시키고 전력 밀도는 향상시키면서 레거시 설계를 계속 이용하는 것을 가능케 합니다. StrongIRFET 전력 MOSFET은 성능과 견고성을 요구하는 저주파 애플리케이션에 이상적입니다. 이 포괄적인 포트폴리오는 DC 모터, 배터리 관리 시스템, 인버터, DC-DC 컨버터 등 광범위한 애플리케이션을 지원합니다.

결과: 11
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
포장

Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(120V 300V)
데이터시트
1,327재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 4.8 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube


Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
데이터시트
2,556재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
데이터시트
4,251재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 209 A 1.28 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 330 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
데이터시트
2,864재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 203 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 160 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
데이터시트
895재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 186 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 80 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC
데이터시트
3,059재고 상태
2,800주문 중
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 51 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 66.7 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4468PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
데이터시트
412재고 상태
3,200주문 중
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 290 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 360 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
데이터시트
6,000주문 중
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 203 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
데이터시트
754예상 2026-02-24
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 151 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4310ZPBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
데이터시트
380예상 2026-04-23
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 280 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(120V 300V)
데이터시트
비재고 리드 타임 22 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube