EVAL-2ED020I12-F2

Infineon Technologies
726-EVAL-2ED020I12F2
EVAL-2ED020I12-F2

제조업체:

설명:
전원 관리 IC 개발 도구 1200 V half bridge gate driver eval board for IGBT, SiC MOSFET and Si MOSFET

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Infineon
제품 카테고리: 전원 관리 IC 개발 도구
RoHS: N
Evaluation Boards
Gate Driver
13 V to 17.5 V
15 V
2ED020I12-F2
브랜드: Infineon Technologies
출력 전류: 20 A
포장: Bulk
제품 유형: Power Management IC Development Tools
팩토리 팩 수량: 1
하위 범주: Development Tools
부품번호 별칭: EVAL2ED020I12F2TOBO1 SP001114100 EVAL2ED020I12F2TOBO1
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8543700000
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8543709860
JPHTS:
854370000
TARIC:
8473302000
ECCN:
EAR99

EVAL-2ED020I12-F2 평가 보드

Infineon Technologies EVAL-2ED020I12-F2 평가 보드는 2ED020I12-F2 갈바닉 절연 이중 채널 IGBT 드라이버 IC의 기능을 평가하는 데 사용됩니다. 이 IC는 600V/1200V IGBT용 CT 기술과 2A 레일-레일 출력이 특징입니다. 이 보드에는 보호 기능, V(cesat) 감지 및 액티브 밀러 클램프가 있습니다.

EiceDRIVER™ 강화 절연 게이트 드라이버 IC

Infineon Technologies EiceDRIVER™ 강화 절연 게이트 드라이버 IC는 DESAT, 밀러 클램프, MOSFET용 소프트 오프, IGBT 및 SiC MOSFET과 같은 보호 기능을 제공합니다. 이러한 절연 드라이버는 CT(코어리스 변압기) 기술를 기반으로 하며, 300kV/μs에 이르는 세계적 수준의 CMTI(공통 모드 과도응답 내성)를 가능하게 합니다. 밀러 클램프 및 정확한 단락 보호(DESAT)는 CoolSiC™ SiC MOSFET 및 TRENCHSTOP™ IGBT7을 구동할 때 기생 턴온 및 단락을 방지하여 우수한 애플리케이션 안정성을 제공합니다. EiceDRIVER™ 절연 드라이버는 최대 9A의 구동 능력을 제공하므로, 부스터 솔루션이 필요 없습니다. 이 단일 채널 및 2채널 게이트 드라이버 IC는 X3 아날로그 제품군(1ED34xx) 및 X3 디지털 제품군 게이트 드라이버 IC로 제공됩니다. 1ED34xx 및 1ED38xx 게이트 드라이버 IC는 연면거리가 8mm인 공간 절약형 DS0-16 미세 피치 와이드 바디 패키지에서 9A 출력 전류와 40V최대 출력 전압을 제공합니다. 이 IC는 단락 클램핑 및 액티브 차단 기능을 갖추고 있으며 1500V DC 태양광 인버터 애플리케이션을 위한 최고의 절연 기능을 제공합니다.

개발 도구

Infineon Development Tools offer a wide selection to enable the engineer's unique design, regardless of the target application. These range from LED lighting, power management, sensors, analog & digital ICs, communication, optoelectronic, and embedded development tools.
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