LMG3626ZREQR

Texas Instruments
595-LMG3626ZREQR
LMG3626ZREQR

제조업체:

설명:
게이트 드라이버 650V 270mohm GaN FET with integrated dri

라이프사이클:
신제품:
이 제조업체의 새로운 제품입니다.
데이터시트:
ECAD 모델:
무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기
추가 정보
Texas Instruments LMG3626ZREQR에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 2,000

재고:
2,000 즉시 배송 가능
공장 리드 타임:
12 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.
최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩9,913.4 ₩9,913
₩7,373 ₩73,730
₩6,876.6 ₩171,915
₩6,044.4 ₩604,440
₩5,737.8 ₩1,434,450
₩5,153.8 ₩2,576,900
₩4,847.2 ₩4,847,200
₩4,117.2 ₩8,234,400
₩3,971.2 ₩15,884,800

제품 속성 속성 값 속성 선택
Texas Instruments
제품 카테고리: 게이트 드라이버
RoHS:  
SMD/SMT
VQFN-38
1 Driver
1 Output
10 V
26 V
35 ns
24 ns
- 40 C
+ 125 C
브랜드: Texas Instruments
개발 키트: LMG3626EVM-074
입력 전압 - 최대: 26 V
입력 전압 - 최소: 10 V
습도에 민감: Yes
제품 유형: Gate Drivers
Rds On - 드레인 소스 저항: 270 mOhms
차단: Noshutdown
팩토리 팩 수량: 2000
하위 범주: PMIC - Power Management ICs
기술: GaN
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
속성 선택됨: 0

데이터시트

이 기능을 활성화하려면 자바스크립트가 필요합니다.

USHTS:
8542390070
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG3626 700V 220mΩ GaN FET

Texas Instruments LMG3626 700V 220mΩ GaN FET는 스위치 모드 전원 공급 장치(SMPS) 애플리케이션에 사용하도록 설계되었습니다. 이 IC는 낮은 대기 전류와 빠른 시동 시간으로 컨버터 경부하 효율 요구 사항과 버스트 모드 작동을 지원합니다. LMG3626 기능은 게이트 드라이버, 보호 및 전류 감지를 결합합니다. 이 GaN FET 보호 기능에는 부족 전압 록아웃(UVLO), 사이클 바이 사이클 전류 제한, 과열 보호 기능이 포함되어 있습니다. LMG3626 GaN FET는 오프라인 전력 스위칭 애플리케이션에서 발생하는 고전압을 지원합니다. GaN FET는 열 패드가 있는 8mm x 5.3mm QFN 패키지로 제공됩니다. LMG3626은 AC/DC 어댑터 및 충전기, 모바일 벽면 충전기 디자인, USB 벽면 전원 콘센트, 보조 전원 공급 장치, TV용 SMPS 전원 공급 장치 및 LED 전원 공급 장치에 이상적입니다.

예기치 못한 오류가 발생했습니다.


질문이 있으십니까? 도움말 센터 를 방문하십시오.
특정 주문에 대해 문의하시려면 계정 에 로그인하십시오.

기타 다른 문제가 발생할 경우 800-346-6873로 연락하거나 help@mouser.com 으로 이메일을 보내 주십시오.