RQ3xFRATCB 전력 MOSFET

ROHM Semiconductor  RQ3xFRATCB 전력 MOSFET은 AEC-Q101-인증, 자동차 등급 MOSFET입니다. 이 MOSFET은 -40V~100V 드레인-소스 전압 범위, 8 단자, 최대 69W 전력 손실, ±12A ~ ±27A 연속 드레인 전류가 특징입니다. RQ3xFRATCB 전력 MOSFET은 N-채널 및 P-채널로 제공됩니다. 이 전력 MOSFET은 소형 3.3mm x 3.3mm HSMT8AG 패키지로 제공됩니다. RQ3xFRATCB 전력 MOSFET은 ADAS(첨단 운전자 보조 시스템), 인포테인먼트, 조명 및 차체에 이상적입니다.

결과: 3
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장
ROHM Semiconductor MOSFET Pch -40V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
데이터시트
3,830재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 40 V 27 A 22 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
데이터시트
2,997재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 40 V 12 A 48 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Pch -60V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
데이터시트
2,795재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 106 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.7 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape