브라우저에서 자바스크립트를 사용하지 않도록 설정한 것으로 보입니다. 로그인하지 않으면 이 페이지의 일부 기능이 작동하지 않습니다.

SI4056ADY-T1-GE3

Name: Vishay SI4056ADY-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI4056ADY-T1-GE3
Price: 1854 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

78-SI4056ADY-T1-GE3

제조업체 번호:

SI4056ADY-T1-GE3

제조업체:

Vishay / Siliconix

설명:

MOSFET SOT669 100V 8.3A N-CH MOSFET

데이터시트:

SI4056ADY-T1-GE3 데이터시트

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

Vishay / Siliconix SI4056ADY-T1-GE3에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 126,953

재고:: 126,953 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(2500의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩1,854.2	₩1,854
	₩1,162.2	₩11,622
	₩766.5	₩76,650
	₩597.1	₩298,550
	₩543.1	₩543,100
전체 릴(2500의 배수로 주문)
	₩481.8	₩1,204,500
	₩426.3	₩2,131,500
	₩405.9	₩4,059,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SOIC-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	100 V
Id - 연속 드레인 전류:	8.3 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	29.2 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.5 V
Qg - 게이트 전하:	19.2 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	5 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	TrenchFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Vishay / Siliconix
하강 시간:	4 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	49 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	6 ns
팩토리 팩 수량:	2500
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	TrenchFET Power MOSFET
표준 턴-오프 지연 시간:	19 ns
표준 턴-온 지연 시간:	9 ns
단위 중량:	750 mg

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SI4056ADY-T1-GE3 데이터시트

Technical Resources

이 기능을 활성화하려면 자바스크립트가 필요합니다.

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Si4056ADY N-채널 MOSFET

Vishay/Siliconix Si4056ADY N-채널 MOSFET은 SO-8 패키지로 제공되며 100V 드레인-소스 정격 전압 및 40A 펄스 드레인 전류를 제공합니다. 이 MOSFET은 낮은 R_DS x Qg FOM(성능 지수)이 특징이며 최저 R_DS x Q_oss FOM에 맞게 튜닝되었습니다. Vishay Si4056ADY N-채널 MOSFET은 1차 측 스위치, LED 드라이버, 로드 스위치 및 동기 정류 애플리케이션에 매우 적합합니다.

TrenchFET Gen IV MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen IV MOSFET은 차세대 TrenchFET® 전력 MOSFET 제품군입니다. TrenchFET Gen IV MOSFET은 PowerPAK^® SO-8 및 1212-8S 패키지로 업계에서 낮은 온저항과 낮은 총 게이트 전하를 제공합니다. 이 TrenchFET Gen IV MOSFET은 극도로 낮은 R_DS(on)이 특징이며 전력 소비 감소를 위해 전도 손실을 낮춥니다. TrenchFET MOSFET은 또한 1/3의 크기이며 비슷한 효율을 자랑하는 공간 절약형 PowerPAK^® 1212-8 패키지와 함께 제공됩니다. 일반적인 애플리케이션으로는 고전력 DC / DC 컨버터, 동기식 정류, 태양광 마이크로인버터 및 모터 드라이브 스위치가 있습니다.