RF Chip Inductors

Fastron RF Chip Inductors feature a ceramic core and are designed for RF applications that require optimal Q on high-frequency circuits. Fastron RF chip inductors feature gold flash pad metallization to provide better solderability for a higher yield in production, and the encapsulation not only protects the winding but also allows surface mount assembly. Case sizes are available in 0402, 0603, 0805, 1008, 1206, and 1210 with an operating temperature range from -40°C to +125°C. Applications include mobile telecommunication, automotive subsystems, and wireless communication.

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Fastron RF 인덕터 - SMD AEC-Q200 Qualified
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9.5 nH 5 % 1.5 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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11 nH 5 % 640 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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12 nH 5 % 640 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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13 nH 5 % 640 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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15 nH 5 % 560 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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16 nH 5 % 560 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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18 nH 5 % 420 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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19 nH 5 % 480 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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20 nH 5 % 420 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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23 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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24 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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27 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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30 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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33 nH 5 % 320 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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36 nH 5 % 320 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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39 nH 5 % 200 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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40 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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43 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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47 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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51 nH 5 % 100 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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56 nH 5 % 100 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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68 nH 5 % 100 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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72 nH 5 % 80 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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900 pH 10 % 1.36 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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릴: 1,000

1 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200