RF Chip Inductors

Fastron RF Chip Inductors feature a ceramic core and are designed for RF applications that require optimal Q on high-frequency circuits. Fastron RF chip inductors feature gold flash pad metallization to provide better solderability for a higher yield in production, and the encapsulation not only protects the winding but also allows surface mount assembly. Case sizes are available in 0402, 0603, 0805, 1008, 1206, and 1210 with an operating temperature range from -40°C to +125°C. Applications include mobile telecommunication, automotive subsystems, and wireless communication.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

3.3 uH 10 % 110 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

3.9 uH 10 % 110 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

4.7 nH 5 % SMD/SMT AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

4.7 uH 10 % 110 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

5 uH 10 % 110 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

5.6 uH 10 % 110 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

6.8 uH 10 % 110 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

8.2 nH 5 % SMD/SMT AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

8.2 uH 10 % 110 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

150 nH 5 % 620 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD 180nH 25 MHz 5% Tol 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

180 nH 5 % 620 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD 220nH 25 MHz 5% Tol 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

220 nH 5 % 620 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

240 nH 5 % SMD/SMT AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

270 nH 5 % SMD/SMT AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

300 nH 5 % SMD/SMT AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD 330nH 25 MHz 5% Tol 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

330 nH 5 % 470 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD 390nH 25 MHz 5% Tol 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

390 nH 5 % 470 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD 470nH 25 MHz 5% Tol 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

470 nH 5 % 470 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

510 nH 5 % SMD/SMT AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD 560nH 25Mhz 5% Tol 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

560 nH SMD/SMT AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

620 nH 5 % SMD/SMT AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

680 nH 5 % SMD/SMT AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

750 nH 5 % SMD/SMT AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD 820nH 25 MHz 5% Tol 비재고 리드 타임 9 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

820 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

910 nH 10 % 380 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200