RF Chip Inductors

Fastron RF Chip Inductors feature a ceramic core and are designed for RF applications that require optimal Q on high-frequency circuits. Fastron RF chip inductors feature gold flash pad metallization to provide better solderability for a higher yield in production, and the encapsulation not only protects the winding but also allows surface mount assembly. Case sizes are available in 0402, 0603, 0805, 1008, 1206, and 1210 with an operating temperature range from -40°C to +125°C. Applications include mobile telecommunication, automotive subsystems, and wireless communication.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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Fastron RF 인덕터 - SMD Ferrite Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

9.1 uH 10 % 150 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ferrite Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

680 nH 10 % 450 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ferrite Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

820 nH 10 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

12 nH 5 % SMD/SMT AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

15 nH 5 % SMD/SMT AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

18 nH 5 % SMD/SMT AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

22 nH 5 % SMD/SMT AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

27 nH 5 % SMD/SMT AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

30 nH 5 % SMD/SMT AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD 33nH 50 MHz 5% Tol 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

33 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD 39nH 50 MHz 5% Tol 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

39 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD 56nH 50Mhz 5% Tol 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

56 nH SMD/SMT AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 68nH; Tol: 2% 비재고 리드 타임 6 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

68 nH 2 % SMD/SMT AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD 82nH 50 MHz 5% Tol 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

82 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

90 nH 5 % SMD/SMT AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

100 uH 10 % 110 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

12 uH 10 % SMD/SMT AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD 1.00uH 25MHz 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

1 uH 10 % 370 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

1.1 uH 10 % 350 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD 1.20uH 7.9MHz 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

1.2 uH 10 % 310 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

1.4 uH 10 % SMD/SMT AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD 1.50uH 7.9MHz 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

1.5 uH 10 % 330 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

1.8 uH 10 % 300 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

2.2 uH 10 % 280 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

2.7 uH 10 % 110 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200