RF Chip Inductors

Fastron RF Chip Inductors feature a ceramic core and are designed for RF applications that require optimal Q on high-frequency circuits. Fastron RF chip inductors feature gold flash pad metallization to provide better solderability for a higher yield in production, and the encapsulation not only protects the winding but also allows surface mount assembly. Case sizes are available in 0402, 0603, 0805, 1008, 1206, and 1210 with an operating temperature range from -40°C to +125°C. Applications include mobile telecommunication, automotive subsystems, and wireless communication.

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Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Non-magnetic RF Chip Inductor
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68 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Non-magnetic RF Chip Inductor
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비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
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75 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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82 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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SMD/SMT
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Non-magnetic RF Chip Inductor
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2.7 nH 10 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Non-magnetic RF Chip Inductor
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SMD/SMT
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3.3 nH 10 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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5.6 nH 10 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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5.8 nH 10 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Non-magnetic RF Chip Inductor
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6.8 nH 10 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Non-magnetic RF Chip Inductor
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최소: 2,500
배수: 2,500
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8 nH 10 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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배수: 2,500
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8.2 nH 10 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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100 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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최소: 2,500
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120 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

130 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Non-magnetic RF Chip Inductor
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최소: 7,500
배수: 7,500
릴: 7,500

130 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD 130nH 5% tol Non-Mag Chip IND
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최소: 1,000
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130 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Non-magnetic RF Chip Inductor
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최소: 2,500
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150 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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180 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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200 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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220 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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240 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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250 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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270 nH 5 % 280 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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290 nH 5 % 260 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200