RF Chip Inductors

Fastron RF Chip Inductors feature a ceramic core and are designed for RF applications that require optimal Q on high-frequency circuits. Fastron RF chip inductors feature gold flash pad metallization to provide better solderability for a higher yield in production, and the encapsulation not only protects the winding but also allows surface mount assembly. Case sizes are available in 0402, 0603, 0805, 1008, 1206, and 1210 with an operating temperature range from -40°C to +125°C. Applications include mobile telecommunication, automotive subsystems, and wireless communication.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

8 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

8.7 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

8.9 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

9.5 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

110 nH 5 % 300 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD 120nH 150 MHz 5% Tol 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

120 nH 5 % 300 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

130 nH 5 % 200 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD 150nH 100 MHz 5% TOL 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

150 nH 5 % 200 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD 180nH 100 MHz 5% TOL 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

180 nH 5 % 200 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

200 nH 5 % 200 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

250 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

270 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

300 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

330 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

390 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

470 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

560 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

680 nH 10 % 140 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 750nH; Tol: 5% 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

750 nH 5 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

750 nH 10 % 130 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

820 nH 10 % 120 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

910 nH 10 % 120 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Non-magnetic RF Chip Inductor 비재고 리드 타임 10 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

10 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Non-magnetic RF Chip Inductor 비재고 리드 타임 10 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

11 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Non-magnetic RF Chip Inductor 비재고 리드 타임 10 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

12 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200