RF Chip Inductors

Fastron RF Chip Inductors feature a ceramic core and are designed for RF applications that require optimal Q on high-frequency circuits. Fastron RF chip inductors feature gold flash pad metallization to provide better solderability for a higher yield in production, and the encapsulation not only protects the winding but also allows surface mount assembly. Case sizes are available in 0402, 0603, 0805, 1008, 1206, and 1210 with an operating temperature range from -40°C to +125°C. Applications include mobile telecommunication, automotive subsystems, and wireless communication.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

51 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD 56nH200 MHz 5% Tol 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

56 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

72 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

90 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

1.2 nH 20 % 850 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

1.3 nH 20 % 850 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

1.5 nH 10 % 850 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

1.6 nH 10 % 850 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

1.8 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

1 uH 10 % 110 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

1.2 uH 10 % 100 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

2 nH 10 % 170 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

2.2 nH 20 % 170 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

3.3 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

3.6 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 3.9nH; Tol: 5% 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

3.9 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD 3.9nH 250 MHz 10% Tol. 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

3.9 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

4.3 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

4.7 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

5.1 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

5.6 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

6.2 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

6.8 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

7.5 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

7.6 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200