RF Chip Inductors

Fastron RF Chip Inductors feature a ceramic core and are designed for RF applications that require optimal Q on high-frequency circuits. Fastron RF chip inductors feature gold flash pad metallization to provide better solderability for a higher yield in production, and the encapsulation not only protects the winding but also allows surface mount assembly. Case sizes are available in 0402, 0603, 0805, 1008, 1206, and 1210 with an operating temperature range from -40°C to +125°C. Applications include mobile telecommunication, automotive subsystems, and wireless communication.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Non-magnetic RF Chip Inductor 비재고 리드 타임 10 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

3.9 nH 10 % 780 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Non-magnetic RF Chip Inductor 비재고 리드 타임 10 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

4.3 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ferrite Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

20 nH 10 % 1.6 A SMD/SMT + 85 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ferrite Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

22 nH 10 % 1.6 A SMD/SMT + 85 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ferrite Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

33 nH 10 % 1.4 A SMD/SMT + 85 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ferrite Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

36 nH 10 % 1.4 A SMD/SMT + 85 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ferrite Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

51 nH 10 % 1.3 A SMD/SMT + 85 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ferrite Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

56 nH 10 % 1.2 A SMD/SMT + 85 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ferrite Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

78 nH 10 % 1 A SMD/SMT + 85 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ferrite Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

100 nH 10 % 1 A SMD/SMT + 85 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ferrite Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

140 nH 10 % 640 mA SMD/SMT + 85 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ferrite Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

180 nH 10 % 600 mA SMD/SMT + 85 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ferrite Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

220 nH 10 % 400 mA SMD/SMT + 85 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ferrite Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

270 nH 10 % 380 mA SMD/SMT + 85 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

10.4 nH 5 % 1.5 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

15 nH 5 % 1.4 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

22 nH 5 % 1.2 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

23 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

29 nH 5 % 900 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

34 nH 5 % 800 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

42 nH 5 % 680 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

47 nH 5 % 570 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

56 nH 5 % 440 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

1.15 nH 20 % 3.2 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

2.6 nH 20 % 2.3 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200