Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs

STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3™ Power MOSFETs are created through increased fine-tuning of STMicroelectronic's strip-based PowerMESH™ layout, combined with optimization of the vertical structure. In addition to significantly reducing ON-resistance, special attention has been taken to ensure these MOSFETs offer dynamic performance with a large avalanche capability. STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs are offered in voltages up to 1200V. Applications include switch-mode low-power supplies (SMPS), DC-DC converters, switching, and offline power supplies.

결과: 40
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명 포장
STMicroelectronics MOSFET N-channel 525 V MDMesh 1,330재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 525 V 5 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A 1,504재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 620 V 2.7 A 2.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 525V 2.5A 2.1 Ohm SuperMESH3 715재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 525 V 2.5 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 3.75 V 11 nC 20 W MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH 613재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3.5 A 2.7 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package 370재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 320 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3 26재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 620 V 3.8 A 1.95 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 14 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 525V 2.1 Ohm 2.5A SuperMESH 3 1,114재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 525 V 2.5 A 2.6 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 620V 1.28 Ohm 4.2A SuperMESH 3 74재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 620 V 4.2 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 3 Ohm 4A Zener SuperMESH3 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 4 A 3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CHANNEL 950 V 1.1 7.2 A TO-220 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,000
배수: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 7.2 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 450V 3.2 Ohm 1.8A SuperMESH 3 비재고 리드 타임 13 주
최소: 3,000
배수: 3,000

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 450 V 1.8 A 3.8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 6 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET N-CH 950V 4 A 비재고 리드 타임 13 주
최소: 3,000
배수: 3,000

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 950 V 4 A 3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Channel 620V 1.1 Ohms 5.5A 비재고 리드 타임 13 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 5.5 A 1.28 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-Channel 400V to 650V 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,000
배수: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 750 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 비재고 리드 타임 13 주
최소: 3,000
배수: 3,000

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 620 V 2.2 A 3.6 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube