DXTN80x NPN 양극성 트랜지스터

Diodes Incorporated DXTN80x NPN 양극성 트랜지스터는 소형 폼 팩터, 열 효율이 높은 PowerDI® 3333-8 패키지를 제공하여 고밀도 최종 제품을 구현할 수 있습니다. 이 장치는 >30V, 60V 또는100V 수집기-이미터 전압과 >8V 이미터-베이스 전압을 공급합니다. DXTN80x은 온도 등급이+175°C의 고온 환경에 이상적입니다. DXTN80x NPN 양극성 트랜지스터는 모터, 솔레노이드, 릴레이 및 액추에이터 드라이버 제어에 탁월합니다.

결과: 3
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
구성
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
콜렉터-베이스 전압 VCBO
이미터-베이스 전압 VEBO
콜렉터-이미터 포화 전압
Pd - 전력 발산
게인 대역폭 제품 fT
최저 작동온도
최고 작동온도
자격
시리즈
포장
Diodes Incorporated 양극성 트랜지스터 - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
데이터시트
1,592재고 상태
2,000예상 2026-04-08
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 30 V 80 V 8 V 120 mV 2.4 W 130 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 양극성 트랜지스터 - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
데이터시트
3,880재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 60 V 100 V 8 V 100 mV 2.4 W 140 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 양극성 트랜지스터 - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
데이터시트
1,592재고 상태
2,000예상 2026-04-20
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 100 V 150 V 8 V 130 mV 2.4 W 125 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape