U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 상표명 포장

Toshiba MOSFET P-Ch -30V FET 2580pF -10A 1.9W
4,926예상 2026-12-02
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 30 V 10 A 17 mOhms - 25 V, 20 V 2 V 64 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV MOQ=5000 PD=30W F=1MHZ
9,986예상 2026-11-16
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSON-8 P-Channel 1 Channel 30 V 23 A 7.8 mOhms - 25 V, 20 V 800 mV 76 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
29,964예상 2026-11-16
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSON-8 P-Channel 1 Channel 20 V 36 A 4.7 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 65 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P Channel -20V -2A AECQ MOSFET
3,000예상 2026-08-17
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 150 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-6.0A, RDS(ON)=0.0225Ohm @ 4.5V, in UF6 package
3,211예상 2026-08-28
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 22.5 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 23.1 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-Signal MOSFET
30,000예상 2027-01-18
최소: 1
배수: 1
: 10,000

Si N-Channel 1 Channel U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
2,000예상 2026-11-16
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 8 A 104 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 19 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.2A 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 93 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.7 nC + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 8V GS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 2 Channel 20 V 4 A 242 mOhms - 8 V, 8 V 1 W U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 80 A 5.2 mOhms 100 W AEC-Q100 U-MOSVI Reel

Toshiba MOSFET N-Ch -40V FET 1650pF -5A 1.9W 20nC 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 40 V 5 A 66 mOhms - 25 V, 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel