NCP5892 향상된 모드 GaN 전력 스위치

onsemi NCP5892 향상된 모드 GaN 전력 스위치는 단일 스위치 구조에 고성능, 고주파 Si(실리콘) 드라이버와 650V GaN(질화 갈륨) HEMT(고전자 이동성 트랜지스터)를 통합합니다. Si 드라이버와 전력 GaN HEMT 스위치의 강력한 조합은 개별 솔루션인 GaN HEMT 및 외부 드라이버에 비해 뛰어난 성능을 제공합니다. onsemi NCP5892의 통합 구현은 회로 및 패키지 기생을 크게 줄이면서 더욱 컴팩트한 설계를 가능하게 합니다.

결과: 3
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 제품
타입
장착 스타일
패키지/케이스
출력 수
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
상승 시간
하강 시간
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
onsemi 게이트 드라이버 SINGLE CHANNEL INTEGRATED DRIVER AND GAN POWER TRANSISTOR
데이터시트
2,998예상 2026-02-20
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Gate Drivers Single SMD/SMT TQFN-26 1 Output 9 V 18 V 9 ns 12 ns - 40 C + 150 C NCP58921 Reel, Cut Tape
onsemi 게이트 드라이버 SINGLE CHANNEL INTEGRATED DRIVER AND GAN POWER TRANSISTOR
데이터시트
3,000예상 2026-02-24
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Gate Drivers Single SMD/SMT TQFN-26 1 Output 9 V 18 V 8 ns 9 ns - 40 C + 150 C NCP58922 Reel, Cut Tape
onsemi 게이트 드라이버 SINGLE CHANNEL INTEGRATED DRIVER AND GAN POWER TRANSISTOR
데이터시트
3,000예상 2026-02-27
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Gate Drivers Single SMD/SMT TQFN-26 1 Output 9 V 18 V 6 ns 7 ns - 40 C + 150 C NCP58920 Reel, Cut Tape