D3 EliteSiC 다이오드

onsemi  D3 EliteSiC 다이오드는 고전력 PFC 및 출력 정류가 필요한 애플리케이션을 위한 솔루션입니다.  onsemi  D3의 최대 정격 전압은 1,200V입니다. 이 다이오드는 TO-247-2LD 및 TO-247-3LD의 두 가지 패키지 옵션으로 제공되므로 다양한 설계에 유연성을 제공합니다. D3 EliteSiC 다이오드는 직렬 저항 온도 종속성이 낮은 것으로 하여 고온 작동에 맞게 최적화되었으며 극한 조건에서도 일관되고 신뢰할 수 있는 성능을 보장합니다.

결과: 11
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 구성 If - 순방향 전류 Vrrm - 반복 역 전압 Vf - 순방향 전압 If - 순방향 서지 전류 Ir - 역 전류 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장

onsemi SiC 쇼트키 다이오드 Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 50 A, 1200 V, D3, TO-247-2L 476재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.4 V 231 A 200 uA - 55 C + 175 C NDSH50120C Tube

onsemi SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L 593재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-2 Single 26 A 1.2 kV 1.75 V 119 A 2.06 uA - 55 C + 175 C NDSH20120C-F155 Tube
onsemi SiC 쇼트키 다이오드 Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 40 A, 1200 V, D3, TO-247-3L 1,198재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3LD Dual Anode Common Cathode 52 A 1.2 kV 1.36 V 123 A 2.39 uA - 55 C + 175 C NDSH40120CDN Tube

onsemi SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L 1,266재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-2 Single 12 A 1.2 kV 1.75 V 546 A 200 uA - 55 C + 175 C NDSH10120C-F155 Tube
onsemi SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODE GEN20 1200V TO247-3L 400재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 24 A 1.2 kV 1.75 V 59 A 1 uA - 55 C + 175 C NDSH20120CDN Tube
onsemi SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODE GEN20 1200V TO247-3L 382재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 38 A 1.2 kV 1.75 V 91 A 1.5 uA - 55 C + 175 C NDSH30120CDN Tube

onsemi SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L 865재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-2 Single 46 A 1.2 kV 1.75 V 195 A 9 uA - 55 C + 175 C NDSH40120C-F155 Tube
onsemi SiC 쇼트키 다이오드 Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20A, 1200V, D3, TO-247-2L 450재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.38 V 119 A 200 uA - 55 C + 175 C NVDSH20120C Tube

onsemi SiC 쇼트키 다이오드 Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L 574재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.38 V 119 A 200 uA - 55 C + 175 C NDSH20120C Tube

onsemi SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L
900예상 2026-02-17
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-2 Single 38 A 1.2 kV 1.75 V 161 A 5 uA - 55 C + 175 C NDSH30120C-F155 Tube
onsemi SiC 쇼트키 다이오드 Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 50A, 1200V, D3, TO-247-2L 900구매 가능한 공장 재고품
최소: 450
배수: 450

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.4 V 231 A 200 uA - 55 C + 175 C NVDSH50120C Tube