Navitas Semiconductor 반도체

결과: 1,794
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
GeneSiC Semiconductor 정류기 200V 35A Std. Recovery
154예상 2026-04-27
최소: 1
배수: 1

GeneSiC Semiconductor 정류기 50V 6A Fast Recovery
245예상 2026-04-14
최소: 1
배수: 1

GeneSiC Semiconductor 정류기 SI STND RECOV DO-8 200-1000V 150A 200PV
32예상 2026-02-27
최소: 1
배수: 1

GeneSiC Semiconductor 정류기 SI STND RECOV DO-8 200-1000V 150A 600PV
27예상 2026-02-27
최소: 1
배수: 1

GeneSiC Semiconductor 정류기 SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 800PV
6예상 2026-05-21
최소: 1
배수: 1

GeneSiC Semiconductor 정류기 SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 800PV
6예상 2026-06-24
최소: 1
배수: 1

GeneSiC Semiconductor 브리지 정류기 600 V - 25 A
463예상 2026-03-04
최소: 1
배수: 1

GeneSiC Semiconductor 브리지 정류기 1000V 35A Si Bridge Rectifier
494예상 2026-02-27
최소: 1
배수: 1

GeneSiC Semiconductor 브리지 정류기 200V 8A Bridge Rectifier
837예상 2026-03-18
최소: 1
배수: 1

Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56 비재고 리드 타임 26 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast Discrete 650V 260mOhm PQFN 56 비재고 리드 타임 26 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56 비재고 리드 타임 26 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Navitas Semiconductor GaN FET GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56 비재고 리드 타임 26 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Navitas Semiconductor GaN FET GaNFET Discrete 650V 170mOhm PQFN 88 비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Navitas Semiconductor GaN FET GaNFET Discrete 650V 150mOhm PQFN 88 비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Navitas Semiconductor GaN FET GaNFET Discrete 650V 70mOhm PQFN 88 비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Navitas Semiconductor GaN FET GaNFET Discrete 650V 50mOhm PQFN 88 비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Navitas Semiconductor GaN FET GaNFET Discrete 650V 520mOhm DPAK-2L 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Navitas Semiconductor GaN FET GaNFET Discrete 650V 330mOhm DPAK-2L 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Navitas Semiconductor GaN FET GaNFET Discrete 650V 260mOhm DPAK-2L 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Navitas Semiconductor GaN FET GaNFET Discrete 650V 210mOhm DPAK-2L 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Navitas Semiconductor GaN FET GaNFET Discrete 650V 170mOhm DPAK-2L 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Navitas Semiconductor GaN FET GaNFET Discrete 650V 120mOhm DPAK-2L 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Navitas Semiconductor GaN FET GaNFET Discrete 650V 120mOhm DPAK-2L 비재고 리드 타임 26 주
최소: 500
배수: 500
: 500

Navitas Semiconductor GaN FET GaNFET 650V 25mOhm(max) TOLT 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500