X2-Class IXYS MOSFET

결과: 71
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명 포장
IXYS MOSFET TO263 700V 4A N-CH X2CLASS 비재고 리드 타임 41 주
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 700 V 2 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/18A TO-247 비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/8A TO-263 비재고 리드 타임 27 주
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 700V 12A N-CH X2CLASS 비재고 리드 타임 41 주
최소: 300
배수: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/12A TO-263 비재고 리드 타임 27 주
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/60A TO-247-4L 비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 30

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 650V 20A N-CH X3CLASS 비재고 리드 타임 41 주
최소: 300
배수: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO268 650V 34A N-CH X4CLASS 비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 650V 34A N-CH X2CLASS 비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 650V 26A N-CH X2CLASS 비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET PLUS247 650V 102A N-CH X2CLASS 비재고 리드 타임 41 주
최소: 300
배수: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET 비재고 리드 타임 41 주
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2 비재고 리드 타임 27 주
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 24 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 225 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TO263 650V 20A N-CH X3CLASS 비재고 리드 타임 41 주
최소: 300
배수: 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 700V 12A N-CH X2CLASS 비재고 리드 타임 41 주
최소: 300
배수: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 20A N-CH X3CLASS 비재고 리드 타임 41 주
최소: 300
배수: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET ISOPLUS 650V 54A N-CH X2CLASS 비재고 리드 타임 29 주
최소: 300
배수: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS IXFP14N55X2
IXYS MOSFET TO220 550V 14A N-CH X2CLASS 비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 50

Si Tube
IXYS IXTA30N65X2
IXYS MOSFET TO263 650V 30A N-CH X2CLASS 비재고 리드 타임 41 주
최소: 300
배수: 50

Si Tube
IXYS MOSFET TO220 700V 12A N-CH X2CLASS 비재고 리드 타임 41 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS IXFP36N55X2
IXYS MOSFET TO220 550V 36A N-CH X2CLASS 비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 50

Si Tube