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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 166Mhz,RoHS 2,679재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 1,298

ISSI DRAM 256M 16Mx16 166MHz SDR SDRAM, 3.3V 766재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 253

ISSI DRAM 512Mb, 3.3V, 143MHz 32Mx16 SDR SDRAM 216재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 38

ISSI NOR 플래시 32Mb, QPI/QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS, T&R, new die rev 1,425재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 2
: 3,000

ISSI NOR 플래시 3V SERIAL FLASH MEMORY WITH 133MHZ MULTI I/O SPI & QUAD I/O QPI DTR INTERFACE 300재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 1

ISSI SRAM 1Mb 64Kx16 10ns Async SRAM 3.3v 8,475재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 242
: 2,500


ISSI SRAM 1Mb 64Kx16 10ns Async SRAM 3.3v 5,751재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 947
: 1,000

ISSI NAND 플래시 SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,63-ball VFBGA 9x11x1.0mm 69재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 10

ISSI DRAM 512Mb, 1.8V, 400MHz 32Mx16 DDR2 SDRAM 263재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 2

ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM 280재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 89

ISSI DRAM 128M, 3.3V, 166Mhz 4Mx32 SDR SDRAM 737재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 143

ISSI SRAM 8Mb 256Kx32 10ns Async SRAM 430재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 69

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS 785재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 79

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, IT 670재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 265

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT 237재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 16

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM 16Mx16 143MHz 2,615재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 490

ISSI DRAM 64M (4Mx16) 143MHz SDR SDRAM 3.3v 4,371재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 911

ISSI NOR 플래시 128Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 5X6MM, RoHS, Auto Grade 2,550재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 676

ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 128Mx8, 1600MT/s at 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT 593재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 81

ISSI SRAM 8Mb 1Mbx8 55ns Async SRAM 232재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200


ISSI NOR 플래시 256M 3V 166MHZ Serial Flash 2,206재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 915
: 1,000

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 198재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 10

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 271재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 17

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 316재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 82

ISSI DRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L A-Temp 397재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 1