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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 1,373재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 58
: 1,500

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 885재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 37

ISSI NOR 플래시 1Gb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, new die rev 476재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200


ISSI NOR 플래시 1Gb QPI/QSPI, 16-pin SOP 300Mil, RoHS, reset pin, tray, new die rev 176재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 4

ISSI NOR 플래시 2Gb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, new die 366재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 35

ISSI NOR 플래시 512Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6x8mm, RoHS,new die 448재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 3

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT 490재고 상태
348예상 2026-04-20
최소: 1
배수: 1
최대: 103

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT 473재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 81

ISSI IS43LR16128B-5BLI-TR
ISSI DRAM 2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R 1,862재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 9
: 2,000

ISSI NAND 플래시 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT 184재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 5

ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT 158재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT 807재고 상태
864예상 2026-04-17
최소: 1
배수: 1
최대: 683

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 555재고 상태
240예상 2026-04-17
최소: 1
배수: 1
최대: 202

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 529재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 127

ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS 111재고 상태
408예상 2026-07-02
최소: 1
배수: 1
최대: 137

ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS 244재고 상태
272예상 2026-05-15
최소: 1
배수: 1
최대: 291

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 264재고 상태
136예상 2026-04-17
최소: 1
배수: 1
최대: 165

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 1,887재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 817재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 353



ISSI SRAM 32Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 10,008재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 1,212

ISSI NOR 플래시 512Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, new die 184재고 상태
480예상 2026-05-07
최소: 1
배수: 1
최대: 128

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT 342재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 42

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS 63재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 5


ISSI NOR 플래시 512Mb QPI/QSPI, 16-pin SOP 300Mil, RoHS, dedicated reset pin, Tray, new die 155재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 3

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 2,450재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200
: 2,500