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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 200재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 15

ISSI SRAM 4M 3.3V 250Mhz 128Kx36 Sync SRAM 46재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

ISSI SRAM 18Mb 512Kx36 7.5ns Sync SRAM 3.3v 14재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

ISSI SRAM 4M (128Kx32) 200MHz Sync SRAM 3.3v 68재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 5

ISSI SRAM 9Mb,Pipeline,Sync,256K x 36,166Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS, Automotive temp 58재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT 390재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 12

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 86 pin, TSOP II (400 mil) RoHS 96재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

ISSI SRAM 8Mb 512Kx16 10ns LP Async SRAM A-Temp 88재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

ISSI DRAM 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 44재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 3

ISSI SRAM 1Mb 10ns 128Kx8 Async SRAM 3.3v 164재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 8Mb,Pipeline,Sync,512K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, 3CE, RoHS 21재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS 107재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

ISSI DRAM 4Gb, 256Mx16, 1.35V, Automotive, A3 Range: ( 40 C = TC = 125 C), 1866MT/s, 96-ball BGA, Lead-free, DDR3L 92재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 42

ISSI SRAM 8M (512Kx18) 200MHz Sync SRAM 3.3v 29재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

ISSI DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM 19재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync with ECC,128K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 62재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

ISSI DRAM 1G 32Mx32 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V 2재고 상태
171예상 2026-04-17
최소: 1
배수: 1
최대: 32

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 54 Pin TSOP II, RoHS 72재고 상태
108예상 2026-03-04
최소: 1
배수: 1
최대: 45


ISSI SRAM 1Mb 3.6v 10ns 64Kx16 LPAsync SRAM 54재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

ISSI LED 조명 개발 툴 Eval Board for IS31FL3199 3재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

ISSI DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM 178재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 7

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS 27재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

ISSI DRAM 64M, 3.3V, 166Mhz 2Mx32 SDR SDRAM 3재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 256M, 3.3V, 166Mhz 16Mx16 SDR SDRAM 73재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

ISSI SRAM 4Mb 256Kx18 7.5ns Sync SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1
최대: 200