STWA60N043DM9

STMicroelectronics
511-STWA60N043DM9
STWA60N043DM9

제조업체:

설명:
MOSFET N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
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데이터시트:
ECAD 모델:
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재고:
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단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩16,132 ₩16,132
₩11,603.2 ₩116,032
₩10,286 ₩1,234,320
₩10,034.4 ₩5,117,544
₩9,309.2 ₩9,495,384
2,520 견적

제품 속성 속성 값 속성 선택
STMicroelectronics
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
56 A
43 mOhms
- 30 V, 30 V
4.5 V
78.6 nC
- 55 C
+ 150 C
312 W
Enhancement
Tube
브랜드: STMicroelectronics
제품 유형: MOSFETs
시리즈: MDmesh DM9
팩토리 팩 수량: 30
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N Channel
단위 중량: 6.100 g
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

데이터시트

PCN

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MDmesh™ M9 전력 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9 전력 MOSFET는 향상된 장치 구조, 낮은 온 상태 저항 및 낮은 게이트 전하 값이 특징입니다. 이러한 전력 MOSFET은 고역 다이오드 dv/dt 및 MOSFET dv/dt 견고성, 고출력 밀도, 저전도 손실을 제공합니다. MDmesh M9 전력 MOSFET는 또한 높은 스위칭 속도, 높은 효율 및 낮은 스위칭 전력 손실을 제공합니다. 이 전력 MOSFET은 인상적인 FoM(성능 지수)를 제공하는 혁신적인 고전압 초접합 기술로 설계되었습니다. 높은 FoM은 더욱 콤팩트한 솔루션을 위해 더 높은 전력 레벨과 밀도를 구현합니다. 일반적으로 서버, 전기 통신 데이터 센터, 5G 파워 스테이션, 마이크로 인버터 및 고속 충전기에 사용됩니다.

STP60N043DM9 MDmesh DM9 전력 MOSFET

STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9 전력 MOSFET은 고속 복구 다이오드와 결합된 면적당 극저RDS(on)를 특징으로 하는 중압/고압 MOSFET용으로 설계되었습니다. 이 장치는 향상된 장치 구조를 허용하는 다중 드레인 제조 공정을 제공하는 혁신적인 초접합 MDmesh DM9 기술을 구현합니다.

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