브라우저에서 자바스크립트를 사용하지 않도록 설정한 것으로 보입니다. 로그인하지 않으면 이 페이지의 일부 기능이 작동하지 않습니다.

VSLY5850

Name: Vishay VSLY5850
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 782-VSLY5850
Price: 1628 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

782-VSLY5850

제조업체 번호:

VSLY5850

제조업체:

Vishay Semiconductors

설명:

적외선 이미터 850nm,T-1.75 600mW/sr,+/-3deg.

데이터시트:

VSLY5850 데이터시트

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

Vishay Semiconductors VSLY5850에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 9,354

재고:: 9,354 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 4 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩1,628	₩1,628
	₩1,249.1	₩12,491
	₩1,078.9	₩107,890
	₩982.7	₩491,350
	₩928	₩928,000
	₩898.4	₩1,796,800
	₩791.8	₩3,167,200
	₩790.3	₩9,483,600

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	적외선 이미터
RoHS:
장착 스타일:	Through Hole
파장:	850 nm
방사 강도:	600 mW/sr
빔 각도:	3 deg
If - 순방향 전류:	100 mA
Vf - 순방향 전압:	1.65 V
전력 정격:	190 mW
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 85 C
포장:	Bulk
브랜드:	Vishay Semiconductors
하강 시간:	10 ns
조명 색상:	Infrared
렌즈 형태:	Dome
제품 유형:	IR Emitters (IR LEDs)
상승 시간:	10 ns
팩토리 팩 수량:	4000
하위 범주:	Infrared Data Communications
상표명:	SurfLight
단위 중량:	449.665 mg

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

VSLY5850 데이터시트

Application Notes

Processing Instructions for Mounting of Through-Hole LEDs

Models

PCN

Change of Production Location for 3mm and TELUX Devices (PDF)

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541410090
CAHTS:: 8541410000
USHTS:: 8541410000
JPHTS:: 854141000
TARIC:: 8541410000
MXHTS:: 8541410100
BRHTS:: 85414011
ECCN:: EAR99

SurfLight™ IR Emitters

Vishay Semiconductors SurfLight™ Infrared (IR) Emitters feature 850nm or 940nm peak wavelength, GaAlAs surface emitter chip technology, high radiant power, high optical power, and high speed. SurfLight IR emitters have gullwing or reverse gullwing terminal configurations and are suitable for high pulse current operation. The 940nm IR emitters have a narrower half-degree angle of intensity and better response times for applications. These Vishay compared to the previous generation of IR emitters.

IR Emitters & Silicon PIN Photodiode

Vishay Semiconductors IR Emitters and Silicon PIN Photodiodes feature an 830nm to 950nm wavelength range with high radiant sensitivity from 1mW/sr to 1800mW/sr. These emitters provide double heterojunction infrared emitters with the lowest forward voltages and highly efficient homojunction emitters. The photodiodes offer the broadest selection of high-speed, low-dark current PIN photodiodes that are specifically designed to achieve excellent sensitivity together with high reliability.

High-Power, High-Speed Infrared Emitters

Vishay VSMB294x/VSMY2853 High-Speed, High-Power Infrared Emitters consist of an adapted lens radius to provide wide ±25° and ±28° angles of half intensity. The resulting typical radiant intensity ranges from 20mW/sr to 35mW/sr at a 100mA drive current. Saving space over lensed PLCC2 solutions, the IR emitters are available in compact top-view 2.3mm x 2.3mm x 2.5mm gullwing and reverse gullwing packages, and 2.3mm x 2.55mm x 2.3mm side-view packages. These offer fast switching speeds and low forward voltages, as the Vishay devices feature GaAIAs surface emitter chip (VSMY2853), double hetero (VSMF2893), and multi-quantum well (VSMB2943, VSMB2948) technologies.

VSLY850 High Speed IR Emitting Diodes

Vishay Semiconductors VSLY850 High Speed IR Emitting Diodes are infrared, 850nm emitting diodes based on GaAlAs surface emitter chip technology. Vishay Semiconductors VSLY850 High Speed IR Emitting Diodes have extreme high radiant intensity, high optical power, high speed, and are molded in clear, untinted plastic packages. The VSLY3850 comes in a T-1 plastic package, and the VSLY5850 also has a parabolic lens.