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VS-4C12ET07THM3

Name: Vishay VS-4C12ET07THM3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-4C12ET07THM3
Price: 7207 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

78-VS-4C12ET07THM3

제조업체 번호:

VS-4C12ET07THM3

제조업체:

Vishay Semiconductors

설명:

SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2202L

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

VS-4C12ET07THM3 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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수량	단가	합계
	₩7,207.6	₩7,208
	₩4,706.4	₩47,064
	₩3,685.2	₩368,520
	₩3,211.6	₩1,605,800
	₩2,708.4	₩2,708,400
	₩2,678.8	₩5,357,600

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	SiC 쇼트키 다이오드
RoHS:
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-220AC-2
구성:	Single
If - 순방향 전류:	12 A
Vrrm - 반복 역 전압:	650 V
Vf - 순방향 전압:	1.3 V
If - 순방향 서지 전류:	72 A
Ir - 역 전류:	84 uA
최저 작동온도:	-55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
시리즈:	VS-4C12ET07THM3
브랜드:	Vishay Semiconductors
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	HK
Pd - 전력 발산:	91 W
제품 유형:	SiC Schottky Diodes
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Diodes & Rectifiers
Vr - 역 전압:	650 V

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문서 필터:

데이터시트

VS-4C12ET07THM3 데이터시트 (PDF)

고전력 탄화 규소 쇼트키 다이오드

Vishay Semiconductors의 고전력 탄화 규소(SiC) 쇼트키 다이오드는 까다로운 전력 전자 애플리케이션에서 탁월한 효율성, 견고성 및 신뢰성을 제공하도록 설계된 첨단 고성능 정류기입니다. 넓은 밴드갭 SiC기술을기반으로 제작된 이Vishay 다이오드는 역회복 전하가 거의 0에 가깝고, 매우 빠른 스위칭 속도와 온도 변화에 영향을 받지 않는성능을 제공하여 차세대주파수전력 변환 시스템에 이상적입니다.