TK40S06N1L,LXHQ

Name: Toshiba TK40S06N1L,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK40S06N1L,LXHQ
Price: 2382 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

757-TK40S06N1L,LXHQ

제조업체 번호:

TK40S06N1L,LXHQ

제조업체:

Toshiba

설명:

MOSFET 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101

데이터시트:

TK40S06N1L,LXHQ 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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	₩1,509.6	₩15,096
	₩1,004.9	₩100,490
	₩790.3	₩395,150
	₩720.8	₩720,800
전체 릴(2000의 배수로 주문)
	₩655.6	₩1,311,200

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Toshiba
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	DPAK-3 (TO-252-3)
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	60 V
Id - 연속 드레인 전류:	40 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	10.5 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.5 V
Qg - 게이트 전하:	26 nC
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	88.2 W
채널 모드:	Enhancement
자격:	AEC-Q101
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	Toshiba
구성:	Single
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	JP
하강 시간:	11 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	7 ns
시리즈:	U-MOSVIII-H
팩토리 팩 수량:	2000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	38 ns
표준 턴-온 지연 시간:	16 ns
부품번호 별칭:	TK40S06N1L,LXHQ(O
단위 중량:	360 mg

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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

문서 필터:

데이터시트

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Product Catalogs

Selection Guide 2024 - MOSFETs

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

자동차용 U-MOSVIII-H 전력 MOSFET

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