TK210V65Z,LQ

Toshiba
757-TK210V65ZLQ
TK210V65Z,LQ

제조업체:

설명:
MOSFET MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI

데이터시트:
ECAD 모델:
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Toshiba
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
650 V
15 A
210 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
25 nC
- 55 C
+ 150 C
130 W
Enhancement
Reel
브랜드: Toshiba
구성: Single
하강 시간: 4 ns
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 14 ns
시리즈: DTMOS VI
팩토리 팩 수량: 2500
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 66 ns
표준 턴-온 지연 시간: 34 ns
단위 중량: 161.193 mg
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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

650V DTMOS-VI 초접합 MOSFET

Toshiba 650V DTMOS-VI 초접합 MOSFET은 스위칭 전원 공급 장치에서 작동하도록 설계되었습니다. 이 N-채널 MOSFET은 정전용량이 낮은 고속 스위칭 특성이 특징입니다.  650V DTMOS-VI 초접합 MOSFET 실리콘 MOSFET은 0.092Ω~0.175Ω의 낮은 드레인 소스 온 상태 저항을 제공합니다. 이 장치는 10V의 드레인-소스 전압이 특징입니다.

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