TK155A65Z,S4X

Name: Toshiba TK155A65Z,S4X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK155A65ZS4X
Price: 6896 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

757-TK155A65ZS4X

제조업체 번호:

TK155A65Z,S4X

제조업체:

Toshiba

설명:

MOSFET MOSFET 650V 155mOhms DTMOS-VI

데이터시트:

TK155A65Z,S4X 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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	₩3,611.2	₩36,112
	₩3,211.6	₩321,160
	₩2,708.4	₩1,354,200
	₩2,590	₩2,590,000

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Toshiba
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-220-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	650 V
Id - 연속 드레인 전류:	18 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	155 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 30 V, 30 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4 V
Qg - 게이트 전하:	23 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	40 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Tube
브랜드:	Toshiba
구성:	Single
하강 시간:	4 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	23 ns
시리즈:	DTMOS VI
팩토리 팩 수량:	50
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	70 ns
표준 턴-온 지연 시간:	44 ns
단위 중량:	2 g

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문서 필터:

데이터시트

TK155A65Z,S4X 데이터시트 (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

650V DTMOS-VI 초접합 MOSFET

Toshiba 650V DTMOS-VI 초접합 MOSFET은 스위칭 전원 공급 장치에서 작동하도록 설계되었습니다. 이 N-채널 MOSFET은 정전용량이 낮은 고속 스위칭 특성이 특징입니다. 650V DTMOS-VI 초접합 MOSFET 실리콘 MOSFET은 0.092Ω~0.175Ω의 낮은 드레인 소스 온 상태 저항을 제공합니다. 이 장치는 10V의 드레인-소스 전압이 특징입니다.