TK080U60Z1,RQ

Name: Toshiba TK080U60Z1,RQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK080U60Z1RQ
Price: 7387 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

757-TK080U60Z1RQ

제조업체 번호:

TK080U60Z1,RQ

제조업체:

Toshiba

설명:

MOSFET 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

TK080U60Z1,RQ 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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	₩4,905.6	₩49,056
	₩3,504	₩350,400
	₩3,328.8	₩1,664,400
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	₩2,715.6	₩5,431,200

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Toshiba
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	TOLL-9
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	600 V
Id - 연속 드레인 전류:	30 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	80 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	30 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4 V
Qg - 게이트 전하:	43 nC
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	211 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	Toshiba
구성:	Single
하강 시간:	4 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	20 ns
팩토리 팩 수량:	2000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	93 ns
표준 턴-온 지연 시간:	50 ns

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문서 필터:

데이터시트

TK080U60Z1,RQ 데이터시트 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TKx 실리콘 N-채널 MOSFET

Toshiba TKx 실리콘 N-채널 MOSFET은 U-MOSX-H 및 DTMOSVI 유형으로 제공되고 탁월한 성능 특성을 제공합니다. 이 MOSFET은 빠른 역회복 시간을 갖도록 설계되어, 턴오프 상태와 턴온 상태 사이의 지연 시간을 줄이고 고속 스위칭 애플리케이션의 효율을 향상시킵니다. 낮은 드레인-소스 온 저항(RDS_(on))은 전력 손실을 최소화하고 열 관리를 개선하여, 낮은 에너지 소모로 높은 전류 처리가 필요한 애플리케이션에 이상적입니다.