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TJ200F04M3L,LXHQ

Name: Toshiba TJ200F04M3L,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TJ200F04M3L,LXHQ
Price: 6059 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

757-TJ200F04M3L,LXHQ

제조업체 번호:

TJ200F04M3L,LXHQ

제조업체:

Toshiba

설명:

MOSFET 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101

데이터시트:

TJ200F04M3L,LXHQ 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 46,556

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최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(1000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩6,059	₩6,059
	₩4,000.4	₩40,004
	₩2,817.8	₩281,780
	₩2,555	₩1,277,500
전체 릴(1000의 배수로 주문)
	₩2,073.2	₩2,073,200
25,000	견적

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Toshiba
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	TO-220SM-3
트랜지스터 극성:	P-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	40 V
Id - 연속 드레인 전류:	200 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	1.8 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 10 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3 V
Qg - 게이트 전하:	460 nC
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	375 W
채널 모드:	Enhancement
자격:	AEC-Q101
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Toshiba
구성:	Single
하강 시간:	515 ns
습도에 민감:	Yes
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	14 ns
시리즈:	U-MOSVI
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 P-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	1750 ns
표준 턴-온 지연 시간:	29 ns
부품번호 별칭:	TJ200F04M3L,LXHQ(O
단위 중량:	1.070 g

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속성 선택됨: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

문서 필터:

데이터시트

TJ200F04M3L,LXHQ 데이터시트 (PDF)

Application Notes

Models

Simulation Model

Product Catalogs

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

자동차용 U-MOSVI 전력 MOSFET

Toshiba 자동차용 U-MOSVI 전력 MOSFET은 자동차 애플리케이션용 -40V P-채널 전력 MOSFET입니다. 이 장치는 기존 제품의 경우 -6V에 비해 -4.5V의 게이트 드라이브 전압을 제공하며 DPAK+ 패키지로 제공됩니다. 이를 통해 배터리 전압이 떨어질 때도 시스템을 사용할 수 있습니다. MOSFET은 낮은 온 상태 저항이 특징입니다.

자동차 장치

Toshiba 자동차 장치는 12~48V 배터리 시스템의 다양한 자동차 애플리케이션을 포괄하는 광범위한 MOSFET, 광학 절연, 트랜지스터, 다이오드 라인업을 제공합니다. 또한 Toshiba는 자동차 등급의 모터 제어 드라이버를 제공합니다. Toshiba 자동차 장치는 AEC-Q100 및 AEC-Q101 인증을 받았습니다.

자동차 AEC-Q101 인증 전력 MOSFET

Toshiba 자동차 AEC-Q101 인증 전력 MOSFET은 12~48V 배터리 시스템의 다양한 자동차 애플리케이션을 포괄하는 광범위한 전력 MOSFET 제품군입니다. Toshiba는 1960년 대부터 개별 자동차 산업에 종사해왔으며, 1990년 대부터 정류기 및 자동차 MOSFET를 제작해왔습니다. 성능 및 신뢰성을 갖춘 Toshiba’의 모든 자동차 제품은 AEC-Q101 표준을 초과 달성합니다.