TGF2929-FS

Qorvo
772-TGF2929-FS
TGF2929-FS

제조업체:

설명:
GaN FET DC-3.5GHz 100W 28V GaN

데이터시트:
ECAD 모델:
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Qorvo
제품 카테고리: GaN FET
RoHS:  
NI-360
N-Channel
28 V
12 A
- 7 V, + 2 V
- 2.9 V
144 W
브랜드: Qorvo
습도에 민감: Yes
포장: Tray
제품 유형: GaN FETs
시리즈: TGF2929
팩토리 팩 수량: 25
하위 범주: Transistors
기술: GaN-on-SiC
타입: RF Power MOSFET
부품번호 별칭: TGF2929 1123716
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데이터시트

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CNHTS:
8542319000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

TGF2929 GaN RF Power Transistors

Qorvo TGF2929 GaN RF Power Transistors are discrete GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMTs (High-Electron Mobility Transistor) that operate from DC to 3.5GHz. They are constructed with the QGaN25HV process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.

QPD GaN RF 트랜지스터

Qorvo QPD GaN RF 트랜지스터는 매크로셀 고효율 시스템용 기지국 전력 증폭기의 최종단을 위해 도허티 아키텍처에서 사용할 수 잇습니다. 이러한 GaN 트랜지스터는 단상 정합된 전력 증폭기 트랜지스터를 갖춘 SiC HEMT 측 이산 GaN입니다. 일반적으로 W-CDMA/LTE, 매크로셀 기지국, 능동 안테나 및 범용 애플리케이션에 사용됩니다.

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