TGA2830-SM

Qorvo
772-TGA2830-SM
TGA2830-SM

제조업체:

설명:
RF 증폭기 2.7-3.5GHz 18W GaN PAE >54% Gain 30.5dB

데이터시트:
ECAD 모델:
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수량 단가
합계
₩342,412.8 ₩342,413
₩299,433.6 ₩2,994,336
₩280,770.8 ₩7,019,270
250 견적

제품 속성 속성 값 속성 선택
Qorvo
제품 카테고리: RF 증폭기
RoHS:  
2.7 GHz to 3.5 GHz
20 V to 32 V
225 mA
30.5 dB
Power Amplifiers
SMD/SMT
QFN-24
GaN SiC
- 40 C
+ 85 C
TGA2830
Waffle
브랜드: Qorvo
ACO(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): US
개발 키트: TGA2830-SM_EVB
입력 리턴 손실: 15 dB
습도에 민감: Yes
채널 수: 1 Channel
Pd - 전력 발산: 35 W
제품 유형: RF Amplifier
팩토리 팩 수량: 25
하위 범주: Wireless & RF Integrated Circuits
부품번호 별칭: TGA2830 1128004
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속성 선택됨: 0

데이터시트

PCN

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KRHTS:
8532331000
CNHTS:
8542339000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
TARIC:
8542330000
MXHTS:
8542330299
ECCN:
EAR99

GaN Power Amplifiers

Qorvo GaN Power Amplifiers allow unique, cost-effective solutions across a variety of applications. With these high-power amplifiers designed for military, commercial, satellite communications and radar systems, Qorvo offers GaN-based products meeting today's market needs and future requirements.

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

TGA2830 & TGA2975 GaN Power Amplifiers

Qorvo TGA2830 & TGA2975 GaN Power Amplifiers operate from 2.7GHz to 3.5GHz and are designed using Qorvo's 00.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) production process (QGaN25). The TGA2830 and TGA2975 can operate under both pulse and CW conditions and are ideally suited for commercial and defense related radar applications. Both RF ports on these devices have integrated DC blocking capacitors and are matched to 50Ω. 

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