TCKE712BNL,RF

Toshiba
757-TCKE712BNLRF
TCKE712BNL,RF

제조업체:

설명:
핫스왑형 전압 컨트롤러 eFuse IC, Flag and RCB, Vin: 4.4V-13.2V, 5A, Ron:56mOhm

데이터시트:
ECAD 모델:
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가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™ †
₩2,294 ₩2,294
₩1,672.4 ₩16,724
₩1,524.4 ₩38,110
₩1,348.3 ₩134,830
₩1,268.4 ₩317,100
₩1,219.5 ₩609,750
₩1,179.6 ₩1,179,600
전체 릴(4000의 배수로 주문)
₩1,016.8 ₩4,067,200
† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

제품 속성 속성 값 속성 선택
Toshiba
제품 카테고리: 핫스왑형 전압 컨트롤러
RoHS:  
eFuse ICs
Adjustable
13.2 V
4.4 V
1 Channel
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
WSON-10
Reel
Cut Tape
MouseReel
No
브랜드: Toshiba
COA(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): JP
Pd - 전력 발산: 2.4 W
제품 유형: Hot Swap Voltage Controllers
팩토리 팩 수량: 4000
하위 범주: PMIC - Power Management ICs
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

TCKE712BNL 13.2V PMIC

Toshiba TCKE712BNL 13.2V PMIC(전원 관리 IC)는 고입력 전압 단일 입력-단일 출력 eFuse IC입니다. 이 PMIC는 외부 저항기로 조절 가능한 과전류 제한 및 단락 보호와 같은 다른 보호 기능과 함께 재사용이 가능한 퓨즈로 사용할 수 있습니다. 기타 기능으로는 외부 정전용량에 의한 조정 가능한 슬루율 제어, 조정 가능한 과전압 보호, 저전압 보호, 과열 차단, FLAG 기능이 있습니다. TCKE712BNL PMIC는 넓은 입력 전압 특성에서 작동하므로 전력 관리에 이상적입니다. 이 장치는 3.0mm x 3.0mm 크기의 0.5mm 피치 초소형 WSON10 패키지로 제공됩니다. 이 장치는 고밀도 보드가 필요한 휴대용 애플리케이션과 같은 다양한 애플리케이션에 이상적으로 적합합니다.

TCKE8xx 및 TCKE712BNL eFuse IC

Toshiba TCKE8xx 및 TCKE712BNL eFuse IC는 콤팩트한 3 x 3mm WSON10B 패키지에 포괄적인 범위의 고속, 재설정 가능 및 낮은 온 저항(RON) 회로 보호 기능을 통합했습니다. eFuse IC는 단락 및 조절 가능한 과전류 보호 기능과 조절 가능한 돌입 전류 슬루율을 제공합니다. TCKE8xx는 또한 과열 시 셧다운, 고정식 과전압 클램프 및 외부 MOSFET과 연계한 역전류 차단 기능도 갖췄습니다. 따라서 TCKE8xx는 다양한 산업용 애플리케이션, 가전 제품, 사무 자동화 장비 및 배터리 전원식 IoT 센서 장치에 이상적인 소자입니다. eFuse를 설계에 통합하면 제품이 IEC/UL62368-1 및 UL2367 등 국제 안전 표준에 규정된 요구 사항을 충족하도록 보장할 수 있습니다.

LM5060-Q1 하이 측 보호 컨트롤러

낮은 무부하 전류를 갖는 Texas Instruments LM5060-Q1 하이 측 보호 컨트롤러는 일반적인 온/오프 전환 및 장애 조건에서 하이 측 N채널 MOSFET의 지능형 제어를 제공합니다. 출력 전압의 거의 일정한 상승 시간은 돌입 전류 제어의 결과입니다. 입력 UVLO(히스테리시스 포함)와 프로그래밍 가능한 입력 OVP가 모두 제공되며, 인에이블 입력은 원격 온/오프 제어를 제공합니다. 초기 시동 VGS 오류 감지 지연 시간, 전이 VDS 오류 감지 지연 시간 및 연속 과전류 VDS 오류 감지 지연 시간은 단일 커패시터에서 프로그래밍됩니다. 감지된 오류 조건이 허용된 오류 지연 시간보다 오래 지속되면 인에이블 입력 또는 UVLO 입력이 로우로 토글될 때까지 MOSFET가 래치 오프됩니다.

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