STP18NM80

Name: STMicroelectronics STP18NM80
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP18NM80
Price: 10088 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STP18NM80

제조업체 번호:

STP18NM80

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

MOSFET N-channel 800 V MDMesh

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데이터시트:

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ECAD 모델:

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	₩5,489.6	₩54,896
	₩5,124.6	₩512,460
	₩5,110	₩5,110,000

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-220-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	800 V
Id - 연속 드레인 전류:	17 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	295 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 30 V, 30 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3 V
Qg - 게이트 전하:	70 nC
최저 작동온도:	- 65 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	190 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	MDmesh
포장:	Tube
브랜드:	STMicroelectronics
구성:	Single
하강 시간:	50 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	28 ns
시리즈:	STP18NM80
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	96 ns
표준 턴-온 지연 시간:	18 ns
단위 중량:	2 g

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문서 필터:

데이터시트

STP18NM80 데이터시트 (PDF)

PCN

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best R_DS(on)*Q_g in the industry.