STL13N60M6

Name: STMicroelectronics STL13N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL13N60M6
Price: 3796 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STL13N60M6

제조업체 번호:

STL13N60M6

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

MOSFET N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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데이터시트:

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ECAD 모델:

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	₩3,796	₩3,796
	₩2,423.6	₩24,236
	₩1,649.8	₩164,980
	₩1,349	₩674,500
	₩1,217.6	₩1,217,600
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩1,061.4	₩3,184,200
	₩1,048.3	₩6,289,800
24,000	견적

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PowerFLAT-5x6-4
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	600 V
Id - 연속 드레인 전류:	7 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	415 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 25 V, 25 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3.25 V
Qg - 게이트 전하:	13 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	52 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	MDmesh
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	STMicroelectronics
구성:	Single
하강 시간:	9.4 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	6.5 ns
시리즈:	Mdmesh M6
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	25.5 ns
표준 턴-온 지연 시간:	15.8 ns
단위 중량:	76 mg

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문서 필터:

데이터시트

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PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MDmesh™ M6 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFET은 낮은 게이트 전하(Q_g)와 최적화된 정전용량 프로파일을 결합하여 전력 변환 애플리케이션의 새로운 토폴로지에서 높은 효율을 목표로 합니다. Super-junction MDmesh™ M6 시리즈는 고효율 성능을 제공하여 고주파수에 대해 전력 밀도를 높이고 게이트 전하를 낮춥니다. M6 시리즈 MOSFET은 항복 전압 범위가 600~700V입니다. TO-LL(TO-Leadless) 패키지 솔루션을 포함한 광범위한 패키징 옵션으로 제공되므로, 효율적으로 열 관리가 가능합니다. 이 장치는 충전기, 어댑터, 실버 박스 모듈, LED 조명, 통신, 서버 및 태양광을 비롯한 산업용 애플리케이션을 위한 광범위한 작동 전압에 대응합니다.

MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between R_DS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best R_DS(on)*Q_g in the industry.